"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование гетероструктуры InGaAs/GaAs (100) методом рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения
Имамов Р.М.1, Ломов А.А.1, Сироченко В.П.1, Игнатьев А.С.1, Мокеров В.Г.1, Немцев Г.З.1, Федоров Ю.В.1
1Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

Методом асимптотической брэгговской дифракции определены структурные характеристики и концентрация In в субмикронной (200 Angstrem) пленке InxGa1-xAs, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs (100). Экспериментально обнаружено наличие переходного слоя на границе пленка-подложка толщиной 20 Angstrem и предложена модель, объясняющая его возникновение.
  1. U.K. Mishra, A.S. Brown, S.E. Rosenbam, M.W. Pierce, M.J. Delaney, S. Vaughn, K. White. IEEE Electron. Dev. Lett., \bf EDL-9, 647 (1988)
  2. A. Fathimula, J. Abrahams, T. Loughran, H. Hier. IEEE Electron. Dev. Lett., \bf EDL-9, 328 (1988)
  3. S.H. Pan, H. Shen, Z. Hang, F.H. Pollak, W. Zhuang, Q. Xu, A.P. Roth, R.A. Masut, C. Lacelle, D. Morris. Phys. Rev. B, \bf 38, 3375 (1988)
  4. P.P. Ruden, M. Shur et al. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-36, 2371 (1989)
  5. D.C. Bertolet, Y.K. Hsu, F. Agahi, K.M. Lau. J. Electron. Matter., \bf 19, 967 (1990)
  6. J.H. van der Merwe. J. Electron. Matter., \bf 20, 793 (1991)
  7. K. Rajan, E. Fitzgerald, K. Jagannadham. J. Electron. Matter., \bf 20, 861 (1991)
  8. E.M. Cirlin, I. Vajo, R.E. Doty, T.C. Hasenberg. J. Vac. Sci. Techn. A, \bf 9, 1395 (1991)
  9. А.М. Афанасьев, П.А. Александров, Р.М. Имамов. \it Рентгенодифракционная диагностика субмикронных слоев (М., Наука, 1989)
  10. J. Hornstra, W.J. Bartels. J. Cryst. Growth, \bf 44, 513 (1978)
  11. M.A. Herman, D. Bimberg, J. Christen. J. Appl. Phys., \bf 70, N 2, R1 (1992)
  12. П.А. Александров, А.М. Афанасьев, М.К. Мелконян. Кристаллография, \bf 26, 1275 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.