Молекулярно-пучковая эпитаксия квантово-размерных структур Zn 1-xCdxSe/ZnSe на GaAs
Дианов Е.М.1, Прохоров А.М.1, Трубенко П.А.1, Щербаков Е.А.1
1Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 7 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены на подложках GaAs квантово-размерные структуры на основе соединений Zn1-xCdxSe/ZnSe. Приводятся спектры фотолюминесценции в зависимости от температуры для структуры с шириной квантовой ямы 7 нм. Показано, что в спектре выращенной структуры доминирует экситонное излучение вплоть до комнатной температуры.
- A.V. Nurmikko, R.L. Gunshor, M. Kobayashi. J. Cryst. Growth, \bf 117, 432 (1992)
- J. Ding, N. Pelekanos, A.V. Nurmikko, H. Luo, N. Samarth, J.K. Furdyna. Appl. Phys. Lett., \bf 57, 2885 (1995)
- H. Jeon, J. Ding, A.V. Nurmikko, H. Luo, N. Samarth, J.K. Furdyna, W.A. Bonner, R.E. Nahory. Appl. Phys. Lett., \bf 57, 2413 (1990)
- S.Y. Wang, Y. Kawakami, J. Simpson, H. Stewart, K.A. Prior, B.C. Cavenett. Appl. Phys. Lett., \bf 62, 1715 (1993)
- N. Samarth, H. Luo, J.K. Furdyna, R.C. Alonso, Y.R. Lee, A.K. Ramdas, S.B. Qadri, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., \bf 56, 1163 (1990)
- A.Y.J. Cho. Appl. Phys., 47, 2841 (1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук