"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Молекулярно-пучковая эпитаксия квантово-размерных структур Zn 1-xCdxSe/ZnSe на GaAs
Дианов Е.М.1, Прохоров А.М.1, Трубенко П.А.1, Щербаков Е.А.1
1Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 7 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены на подложках GaAs квантово-размерные структуры на основе соединений Zn1-xCdxSe/ZnSe. Приводятся спектры фотолюминесценции в зависимости от температуры для структуры с шириной квантовой ямы 7 нм. Показано, что в спектре выращенной структуры доминирует экситонное излучение вплоть до комнатной температуры.
  1. A.V. Nurmikko, R.L. Gunshor, M. Kobayashi. J. Cryst. Growth, \bf 117, 432 (1992)
  2. J. Ding, N. Pelekanos, A.V. Nurmikko, H. Luo, N. Samarth, J.K. Furdyna. Appl. Phys. Lett., \bf 57, 2885 (1995)
  3. H. Jeon, J. Ding, A.V. Nurmikko, H. Luo, N. Samarth, J.K. Furdyna, W.A. Bonner, R.E. Nahory. Appl. Phys. Lett., \bf 57, 2413 (1990)
  4. S.Y. Wang, Y. Kawakami, J. Simpson, H. Stewart, K.A. Prior, B.C. Cavenett. Appl. Phys. Lett., \bf 62, 1715 (1993)
  5. N. Samarth, H. Luo, J.K. Furdyna, R.C. Alonso, Y.R. Lee, A.K. Ramdas, S.B. Qadri, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., \bf 56, 1163 (1990)
  6. A.Y.J. Cho. Appl. Phys., 47, 2841 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.