Вышедшие номера
Молекулярно-пучковая эпитаксия квантово-размерных структур Zn 1-xCdxSe/ZnSe на GaAs
Дианов Е.М.1, Прохоров А.М.1, Трубенко П.А.1, Щербаков Е.А.1
1Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 7 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены на подложках GaAs квантово-размерные структуры на основе соединений Zn1-xCdxSe/ZnSe. Приводятся спектры фотолюминесценции в зависимости от температуры для структуры с шириной квантовой ямы 7 нм. Показано, что в спектре выращенной структуры доминирует экситонное излучение вплоть до комнатной температуры.