Вышедшие номера
Излучательная рекомбинация в гетеросветодиодах на основе GaInAsSb предельного состава
Попов А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Исследована природа излучательной рекомбинации светодиодных гетероструктур на основе твердого раствора n-GaInAsSb, состав которого был предельно близок к области несмешиваемости. Показано, что в исследованном интервале токов накачки (I<6 A) и температур 77-300 K электролюминесценция вызвана туннельной рекомбинацией в области гетерограниц с большими разрывами зон проводимости (Delta Ec/Eg~ 100%), формирующихся между узкозонной активной областью n-GaInAsSb и эмиттерными слоями N-GaSb и P-GaAlAsSb. Установлено влияние величины разрыва зоны проводимости на N-n-гетерогранице на зависимость положения максимума электролюминесценции от величины инжекционного тока и на эффективность излучательной рекомбинации в гетеросветодиодах на основе GaSb/GaInAsSb предельного состава.