Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Излучательная рекомбинация в гетеросветодиодах на основе GaInAsSb предельного состава

Попов А.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 2 февраля 1994 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована природа излучательной рекомбинации светодиодных гетероструктур на основе твердого раствора n-GaInAsSb, состав которого был предельно близок к области несмешиваемости. Показано, что в исследованном интервале токов накачки (I<6 A) и температур 77-300 K электролюминесценция вызвана туннельной рекомбинацией в области гетерограниц с большими разрывами зон проводимости (Delta E_c/E_g~ 100%), формирующихся между узкозонной активной областью n-GaInAsSb и эмиттерными слоями N-GaSb и P-GaAlAsSb. Установлено влияние величины разрыва зоны проводимости на N-n-гетерогранице на зависимость положения максимума электролюминесценции от величины инжекционного тока и на эффективность излучательной рекомбинации в гетеросветодиодах на основе GaSb/GaInAsSb предельного состава.

А.Н. Именков, О.П. Капранчик, А.М. Литвак, А.А. Попов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, \bf 16, 19 (1990)
А.Н. Баранов, А.М. Литвак, А.А. Попов и др. Письма ЖТФ, \bf 16, 33 (1990)
А.Н. Титков, В.Н. Чебан, А.Н. Баранов и др. ФТП, \bf 24, 1056 (1990)
M. Nakao, S. Yashida, S. Gonda. Sol. St. Commun., \bf 49, 663 (1986)
Н.М. Колчанова, А.А. Попов, А.Б. Богословская, Г.А. Сукач. Письма ЖТФ, \bf 19, 61 (1993)
Г.Г. Зегря, А.А. Харченко. ЖЭТФ, 25, 394 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель