С помощью оптического метода наблюдения распределения электрического поля, использующего эффект Франца-Келдыша, изучалось влияние дополнительного фотовозбуждения на вид стационарного распределения поля в объеме p-i-n-структуры на основе слаболегированного GaAs при приложении напряжения запирающей полярности. Обнаружено, что область локализации поля с увеличением интенсивности фотовозбуждения смещается в сторону p⁰-слоя структуры. Показано, что фотовозбуждение приводит к смещению положения точки равновесия отрицательного и положительного зарядов, локализованных на примесях вследствие уменьшения отрицательного заряда акцепторов за счет генерации электронов с акцепторных уровней в зону проводимости. С учетом этих переходов в установленной модели процессов переноса заряда в i-слое структуры представлен теоретический анализ наблюдаемых картин поля.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.