Вышедшие номера
Диодные структуры Pd--p--GaP<Mn>: электрические и фотоэлектрические характеристики и влияние на них водорода
Слободчиков С.В.1, Ковалевская Г.Г.1, Мередов М.М.1, Руссу Е.В.1, Салихов Х.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Проведены исследования вольт-амперных характеристик, спектральной фотоэдс и влияния на них водорода в диодных структурах Pd-p-GaP, где p-GaP получен методом Чохральского, легирован Mn и имел p0=3· 1012 см-3. Установлено, что механизм токопрохождения определяется двойной инжекцией носителей тока в слой p-GaP, ограниченной пространственным зарядом на центрах захвата, созданных Mn. Вольт-амперная характеристика включает омический участок, переходящий в квадратичный. Спектральная кривая фотоэдс не имеет участка собственного (межзонного, lambda<0.55 мкм) возбуждения и содержит только фаулеровский длинноволновой хвост, из которого определена высота барьера Шоттки varphiB=1.2 эВ. Под импульсным воздействием водорода темновые токи уменьшаются в 2-2.5 раза, а фотоэдс убывает в 2.5 раза, и эти изменения связаны с изменением коэффициента инжекции контакта Pd-p-GaP в связи с увеличением высоты барьера в атмосфере водорода на 20 мэВ.