"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Изменения анизотропии рассеяния носителей тока в n-Si, возникающие в области комнатных температур под влиянием высокого гидростатического давления
Баранский П.И.1, Видалко Е.Н.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 6 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

На монокристаллах n-Si, исходных и подвергнутых воздействию высокого гидростатического давления (10 кбар, 7 суток), проведены измерения удельного сопротивления при направленном давлении, параллельном току. Установлено, что гидростатическое давление, не внося существенных структурных нарушений в кристалл, влияет на анизотропию рассеяния электронов.
  1. Е.Д. Мартынов, В.И. Трефилов, С.А. Фирстов, Б.И. Берсеньев, Ю.Н. Рябинин. ДАН СССР, \bf 176, 1276 (1967)
  2. В.И. Зайцев, О.В. Преснякова. В кн.: \it Физика высоких давлений (Киев, Наук. думка, 1979) с. 91
  3. В.И. Зайцев, В.А. Стрельцов, А.А. Добриков. В кн.: \it Физика высоких давлений (Киев, Наук. думка, 1979) с. 119
  4. Н.Н. Буйнов, Р.А. Караханян, Р.Р. Романова и др. Физика металлов и металловедение, \bf 27, 509 (1969)
  5. Дж. Хиллард, Дж. Кан. В кн.: \it Физика высоких давлений (М., ИЛЛ, 1963) с. 232
  6. В.Л. Инденбом, А.Н. Орлов. Физика металлов и металловедение, \bf 43, 469 (1977)
  7. P.I. Baranskii, V.Y. Kolomoets, S.S. Korolyuk. Phys. St. Sol. (b), \bf 106, K109 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.