"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Параметры центра, связанного с примесью Al в 6H-SiC
Кузнецов Н.И.1, Дмитриев А.П.1, Фурман А.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

Исследовались 6H-SiC-диоды с различной степенью легирования алюминием базовой области p-типа. В помощью токовой спектроскопии глубоких уровней определены параметры центра, связанного с примесью Al. Приведена теоретическая оценка сечения захвата дырки на заряженный центр в карбиде кремния. Результаты оценки согласуются с экспериментом.
  1. L. Patrick. Phys. Rev., 127, 1878 (1962)
  2. M. Ikeda, T. Hayakawa, S. Yamagiwa, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Appl. Phys., \bf 50, 8215 (1979)
  3. M. Ikeda, H. Matsunami, T. Tanaka. Phys. Rev. B, \bf 22, 2842 (1980)
  4. Г.А. Ломакина, Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, \bf 12, 2918 (1970)
  5. J.A. Edmond et al. In: Springer Proceedings in Physics (ed. by C.Y. Yang, M.M. Rahman, G.L. Harris), 71, Springer Verlag, Berlin (1992)
  6. J.A. Edmond et al. In: IEEE MTT Device Research Symposium Charletesville (1991)
  7. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  8. Н.И. Кузнецов. ФТП, 27, 1674 (1993)
  9. Н.И. Кузнецов. ПТЭ, 6, 163 (1990)
  10. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, \bf 12, 3 (1978)
  11. N.J. van Daal, W.F. Knippenbery, J.D. Wasscher. J. Phys. Chem. Sol., \bf 24, 109, (1963)
  12. Yu.A. Vodakov, G.A. Lomakina, E.N. Moxov, E.I. Radovanova, V.I. Sokolov, M.M. Usmanova. Phys. St. Sol. (a), \bf 35, 37 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.