Вышедшие номера
Исследования дрейфовой подвижности электронов в a-Si:H, легированном фосфором
Казанский А.Г.1, Яркин Д.Г.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 7 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

Исследовано влияние легирования и длительного освещения на дрейфовую подвижность электронов mud в a-Si:H в области температур (100-400) K. Полученные зависимости mud(T) имеют активационный характер при низких температурах и насыщаются при температурах, близких к комнатной. Величина mud в области комнатных температур немонотонно изменяется с легированием, возрастая при малых и уменьшаясь при больших уровнях легирования. Активационный характер зависимостей mud(T) в области низких температур объясняется в рамках модели эффективного уровня прилипания. Предполагается, что насыщение зависимостей mud(T) вызвано возрастанием влияния глубоких уровней прилипания с ростом температуры.