"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Светоуправляемые электрические поля в высокоомной МПМ структуре при наличии глубоких примесных уровней. 2. Большие интенсивности
Резников Б.И.1, Царенков Г.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

Теоретически исследовано влияние глубоких примесей на фотоэффект в сильно смещенной высокоомной симметричной МПМ структуре при освещении монохроматическим светом (hnu>~= Eg). Решалась система уравнений непрерывности в диффузионно-дрейфовом приближении и уравнение Пуассона. На границах учтена термоэлектронная эмиссия носителей через поверхность металл-полупроводник. Результаты приведены для структуры Au-CdTe-Au с одиночным примесным уровнем, проявляющим себя в толще как уровень прилипания для дырок. Показано, что и при наличии примеси при интенсивностях, превосходящих критическую, в тонком слое вблизи анода имеет место инверсия (смена знака) электрического поля. За инверсной областью расположена область квазинейтральности, ширина которой растет с интенсивностью и заметно уменьшается с ростом Nt. Последнее связано с рекомбинацией носителей в потенциальной яме для электронов. С ростом Nt уменьшается величина поля у катода. Качественный характер зависимости ток-интенсивность такой же, как и при отсутствии примесей. Однако величина тока, ограниченного объемным зарядом (ТООЗ), и скорость роста тока при интенсивностях, превышающих инверсную, заметно уменьшаются из-за захвата дырок на примесные уровни в толще структуры. При малых Nt величина ТООЗ линейно уменьшается с ростом Nt. Характеристика ток-напряжение линейна при малых напряжениях V и испытывает насыщение при больших V. Ток насыщения пропорционален интенсивности освещения и не зависит от Nt. С уменьшением V распределение E(x) в толще становится немонотонным, вблизи анода появляется область, где d2E/dx2>0, ширина инверсной области растет и при малых V и Nt может достигать десятков микрон.
  1. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 28, 242 (1994)
  2. П.Г. Кашерининов, Б.И. Резников, Царенков Г.В. ФТП, \bf 26, 1480 (1992)
  3. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 27, 1262 (1993)
  4. T. Takebe, J. Sarai, H. Matsunami. J. Appl. Phys., \bf 53, 457 (1982)
  5. D.L. Scharfetter, H.K. Gummel. IEEE Trans. Electron. Dev., Ed-16, N 1, 64 (1969)
  6. А.А. Самарский. Введение в теорию разностных схем. М.: Наука (1971)
  7. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.