Теоретически исследовано влияние глубоких примесей на фотоэффект в сильно смещенной высокоомной симметричной МПМ структуре при освещении монохроматическим светом (hnu>~= E_g). Решалась система уравнений непрерывности в диффузионно-дрейфовом приближении и уравнение Пуассона. На границах учтена термоэлектронная эмиссия носителей через поверхность металл-полупроводник. Результаты приведены для структуры Au-CdTe-Au с одиночным примесным уровнем, проявляющим себя в толще как уровень прилипания для дырок. Показано, что и при наличии примеси при интенсивностях, превосходящих критическую, в тонком слое вблизи анода имеет место инверсия (смена знака) электрического поля. За инверсной областью расположена область квазинейтральности, ширина которой растет с интенсивностью и заметно уменьшается с ростом N_t. Последнее связано с рекомбинацией носителей в потенциальной яме для электронов. С ростом N_t уменьшается величина поля у катода. Качественный характер зависимости ток-интенсивность такой же, как и при отсутствии примесей. Однако величина тока, ограниченного объемным зарядом (ТООЗ), и скорость роста тока при интенсивностях, превышающих инверсную, заметно уменьшаются из-за захвата дырок на примесные уровни в толще структуры. При малых N_t величина ТООЗ линейно уменьшается с ростом N_t. Характеристика ток-напряжение линейна при малых напряжениях V и испытывает насыщение при больших V. Ток насыщения пропорционален интенсивности освещения и не зависит от N_t. С уменьшением V распределение E(x) в толще становится немонотонным, вблизи анода появляется область, где d²E/dx²>0, ширина инверсной области растет и при малых V и N_t может достигать десятков микрон.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.