Константы деформационного потенциала, определяющие расщепление вырожденных уровней глубоких акцепторов в условиях внешней деформации, рассчитаны в приближении короткодействующего потенциала центра. Использование разложения волновой функции примесного уровня по блоховским функциям идеального кристалла позволяет выразить примесные константы деформационного потенциала через зонные и через параметры зонной структуры (эффективные массы). Выполнены оценки для полупроводников с предельно малым (Delta=0) и большим спин-орбитальным расщеплением валентной зоны. Константа изотропной деформации a_T для глубоких уровней отличается от зонной. При учете вклада в волновую функцию примесного уровня состояний валентной зоны и подмешивания состояний зоны проводимости отношение a_T/a_v<1 зависит от параметров зонной структуры и уменьшается по мере углубления уровня в запрещенную зону. Сопоставление с известными значениями констант Cu_Ga, Ag_Ga, Au_Ga в GaAs показало подтверждение этой закономерности.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.