Исследовались процессы образования дефектов в кремнии при электронном облучении в диапазоне температур 10-300 K. Установлено, что эффективность введения дефектов (ЭВД) является немонотонной функцией температуры с максимумом при 60 K в n-типе и минимумом при 120 K в кристаллах обоих типов проводимости. Показано, что ЭВД определяется соотношением вероятностей аннигиляции и диссоциации первичных радиационных дефектов - пар Френкеля. При этом вероятность аннигиляции или диссоциации определяется коэффициентами диффузии вакансий V и междоузельных атомов Si_i в зарядовых состояниях V^- и Si_i⁺ и временами жизни tau_V в состояниях V^- и V⁰. Установлено, что междоузельный атом вступает в реакцию с атомами примесей в зарядовом состоянии Si_i⁺, а его движение при низкой температуре не может идти за счет смены зарядового состояния Si_i⁺-Si_i⁰ при поочередном захвате электронов и дырок.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.