Изложены экспериментальные результаты исследований поляризационной фоточувствительности структур p-n-GaP/n-Si и p-GaP/n-Si, полученных эпитаксией слоев фосфида галлия на кремниевых подложках. Установлено, что структуры обладают фоточувствительностью в различных спектральных областях. Обнаружено возникновение поляризационной фоточувствительности при наклонном падении линейно поляризованного излучения на поверхность структур GaP/Si, величина коэффициента фотоплеохроизма которых определяется углом падения theta. Фотоплеохроизм возрастает пропорционально theta², а максимальное значение составило ~50% при theta~=80^o. Сделан вывод о возможностях применения структур на основе слоев GaP на Si в качестве поляриметрических фотодетекторов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.