"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Бистабильность туннельного тока и фотолюминесценция в трехбарьерной структуре
Ивченко Е.Л.1, Киселев А.А.1, Зу Н.1, Вилландер М.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет Линчёпинга, S
Поступила в редакцию: 14 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

Развита теория резонансного туннелирования электронов в трехбарьерной структуре с тонким внутренним барьером, в которой учтена обратная связь с самосогласованным электростатическим потенциалом. Рассчитанная вольт-амперная зависимость характеризуется сильной собственной бистабильностью в области напряжений, настроенных на резонанс с первым возбужденным электронным уровнем. Обсуждается спектр фотолюминесценции, излучаемой из двойной ямы, и анализируется различие в положении пика люминесценции на верхней и нижней ветвях гистерезисной петли.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.