"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоотражение арсенида галлия
Пихтин А.Н.1, Тодоров М.Т.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 февраля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.

Исследована зависимость формы линии фотоотражения от концентрации свободных носителей заряда при комнатной температуре. С ростом концентрации зарегистрировано уширение спектров фотоотражения как в области E0, так и вблизи E0 + Delta0. Показан вклад приповерхностной области конечных размеров dR в формирование отражения и фотоотражения. Выявлено влияние неоднородности распределения электрического поля в указанной области на форму спектра и на экспериментально определяемую напряженность поверхностного электрического поля. Полученные данные могут быть использованы для контроля концентрации свободных носителей заряда в тонких эпитаксиальных слоях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.