"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование кинетики спада фотопроводимости в кремнии, легированном осмием
Азимов С.А.1, Юнусов М.С.1, Нуркузиев Г.1
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 20 августа 1991 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.

Из исследований кинетики спада фотопроводимости и кинетики фотоемкости определены параметры уровней, возникающих при введении осмия в Si n- и p-типа проводимости. Идентифицированы два акцепторных уровня [Ec - 0.18 эВ и Ec - (0.53/0.56) эВ] в n-Si<Os>, а также донорный (Ev + 0.18 эВ) и акцепторный [Ec - (0.53/0.56) эВ] в p-Si<Os>. Найдены сечения захвата носителей заряда на уровни. Высказано предположение, что в образовании уровней участвуют комплексы осмия с первоначально введенной примесью (бор или фосфор).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.