"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Легирование эпитаксиальных слоев GaAs акцерторной примесью Zn при жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов Ga-Bi
Туан Ле1, Новиков С.В.1, Савельев И.Г.1, Шелковников Д.Н.1, Шмарцев Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 января 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1993 г.

Исследованы процессы, происходящие при легировании слоев GaAs акцепторной примесью Zn при жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава Ga-Bi. Зависимость толщины эпитаксиальных слоев GaAs : <Zn, Bi> от состава раствора-расплава имеет сложный вид, который объясняется сложным видом кривых изотерм ликвидуса в системе Ga-Bi-As и изменением процессов массопереноса в микронеоднородной жидкой фазе. Методами фотолюминесценции с послойным стравливанием и Ван-дер-По был исследован характер поведения атомов примеси Zn в эпитаксиальных слоях, на подложках и подложках-спутниках в процессе роста. Даны объяснения нелинейной зависимости концентрации Zn в слоях GaAs от содержания Bi в составе растворителя Ga-Bi, которые связываются с изменением концентрации вакансий в галлиевой подрешетке и с характером диффузионного переноса Zn в жидкой фазе. Постоянный уровень легирования в зпитаксиальном слое GaAs при данном составе растворителя свидетельствует о том, что основным механизмом легирования является захват атомов примеси Zn из жидкой фазы в процессе роста.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.