Методом кумулянт в рамках флуктуационно-диссипативной теоремы получены выражения для коэффициента поглощения инфракрасного излучения электронной плазмой в полупроводниках. Подробно рассмотрен случай взаимодействия электронов с примесями и плазмон-фононными возбуждениями в приближении случайных фаз. Численные расчеты проведены для GaAs. Показано, что затухание фононов существенным образом влияет на положение и ширину резонансных пиков коэффициента поглощения. Предложенный метод допускает обобщение на случай произвольной электрон-фононной и электрон-примесной связи.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.