"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние числа квантовых ям в активной области на линейность ватт-амперной характеристики полупроводникового лазера
Соколова З.Н.1, Тарасов И.С.1, Асрян Л.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
Поступила в редакцию: 1 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.

Рассчитана ватт-амперная характеристика полупроводникового лазера с несколькими квантовыми ямами с учетом замедленного захвата носителей заряда из волноводной области в ямы. Показано, что увеличение числа квантовых ям является более эффективным способом улучшения мощностных характеристик лазера по сравнению с увеличением скорости захвата в каждую из ям. Так, использование двух квантовых ям в качестве активной области приводит к значительному увеличению внутренней квантовой эффективности стимулированного излучения и существенно большей линейности ватт-амперной характеристики лазера по сравнению с одноямной структурой. Использование же трех или более квантовых ям дает лишь незначительное улучшение мощностных характеристик лазера по сравнению с двухъямной структурой. Таким образом, с точки зрения высоких выходных мощностей и простоты роста двухъямная структура является наиболее оптимальной.
  1. С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, К.С. Борщёв, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 40, 1017 (2006)
  2. И.С. Тарасов. Квант. электрон., 40, 661 (2010)
  3. L.V. Asryan, S. Luryi, R.A. Suris. Appl. Phys. Lett., 81, 2154 (2002)
  4. L.V. Asryan, S. Luryi, R.A. Suris. IEEE J. Quant. Electron., 39, 404 (2003)
  5. З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. ФТП, 45, 1533 (2011)
  6. Д.З. Гарбузов, А.В. Овчинников, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин. ФТП, 25, 928 (1991)
  7. W. Rideout, W.F. Sharfin, E.S. Koteles, M.O. Vassell, B. Elman. IEEE Phot. Technol. Lett., 3, 784 (1991)
  8. N. Tessler, R. Nagar, G. Eisenstein, S. Chandrasekhar, C.H. Joyner, A.G. Dentai, U. Koren, G. Raybon. Appl. Phys. Lett., 61, 2383 (1992)
  9. H. Hirayama, J. Yoshida, Y. Miyake, M. Asada. Appl. Phys. Lett., 61, 2398 (1992)
  10. H. Hirayama, J. Yoshida, Y. Miyake, M. Asada. IEEE J. Quant. Electron., 30, 54 (1994)
  11. G.W. Taylor, P.R. Claisse. IEEE J. Quant. Electron., 31, 2133 (1995)
  12. P.M. Smowton, P. Blood. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3, 491 (1997)
  13. G.W. Taylor, S. Jin. IEEE J. Quant. Electron., 34, 1886 (1998)
  14. L.V. Asryan. Квант. электрон., 35, 1117 (2005)
  15. L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
  16. I.N. Yassievich, K. Schmalz, M. Beer. Semicond. Sci. Technol., 9, 1763 (1994)
  17. С.А. Соловьев, И.Н. Яссиевич, В.М. Чистяков. ФТП, 29, 1264 (1995)
  18. A. Dargys, J. Kundrotas. Semicond. Sci. Technol., 13, 1258 (1998)
  19. R.A. Suris. NATO ASI Series, E 323, 197 (1996)
  20. Л.В. Асрян, Р.А. Сурис. ФТП, 38, 3 (2004)
  21. L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1131 (2000)
  22. L.V. Asryan, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 26, 055 025 (2011)
  23. K.J. Vahala, C.E. Zah. Appl. Phys. Lett., 52, 1945 (1988)
  24. L.V. Asryan, S. Luryi. Appl. Phys. Lett., 83, 5368 (2003)
  25. L.V. Asryan, S. Luryi. IEEE J. Quant. Electron., 40, 833 (2004)
  26. А.В. Лютецкий, К.С. Борщёв, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 42, 106 (2008)
  27. Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, К.С. Борщёв, И.Н. Арсентьев, И.С. Тарасов. ФТП, 41, 1003 (2007)
  28. N. Tessler, G. Eisenstein. Appl. Phys. Lett., 62, 10 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.