"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронная микроскопия структур GaAs с квантовыми точками InAs и As
Неведомский В.Н.1, Берт Н.А.1, Чалдышев В.В.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 2011 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.

Проведены электронно-микроскопические исследования структур GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, содержащих два слоя сопряженных полупроводниковых квантовых точек InAs, заращенных тонким буферным слоем GaAs и слоем низкотемпературного арсенида галлия. При последующем отжиге в слое низкотемпературного GaAs формировался массив нановключений (металлических квантовых точек) As. Изучено изменение микроструктуры образцов в зависимости от температуры и условий отжига. Установлено, что при относительно низких температурах отжига (400-500oС) формирование массива металлических квантовых точек As слабо зависит от наличия полупроводниковых квантовых точек InAs в предшествующих слоях. Металлические квантовые точки As имеют при этом характерный размер около 2-3 нм после отжига при 400oC и 4-5 нм после отжига при 500oС в течение 15 мин. Отжиг при 600oС в течение 15 мин в ростовой установке приводит к укрупнению металлических квантовых точек As до 8-9 нм и формированию групп таких точек в области низкотемпературного GaAs, непосредственно прилегающей к отделенным буферным слоям полупроводниковых квантовых точек InAs. Более длительный отжиг при повышенной температуре (760oС) в атмосфере водорода вызывает дальнейшее увеличение размеров металлических квантовых точек As до 20-25 нм и их пространственное смещение в область между сопряженными полупроводниковыми квантовыми точками InAs.
  1. V.M. Shalaev. Nature Photonics, 1, 41 (2007)
  2. H.A. Atwater, A. Polman. Nature Materials, 9, 205 (2010)
  3. T.D. Ladd, F. Jelezko, R. Laflamme, Y. Nakamura, C. Monroe, J.L. O'Brien. Nature, 464, 45 (2010)
  4. Marc Achermann. J. Phys. Chem. Lett., 1, 2837 (2010)
  5. M.T. Cheng, S.D. Liu, H.J. Zhou, Z.H. Hao, Q.Q. Wang. Opt. Lett., 32, 2125 (2007)
  6. W. Zhang, A.O. Govorov, G.W. Bryant. Phys. Rev. Lett., 97, 146 804 (2006)
  7. Beak-Hyun Kim, Chang-Hee Cho, Jin-Soo Mun, Min-Ki Kwon, Tae-Young Park, Jong Su Kim, Clare Chisu Byeon, Jongmin Lee, Seong-Ju Park. Advanced Materials, 20, 3100 (2008)
  8. M.L. Andersen, S. Stobbe, A.S. S rensen, P. Lodahl. Nature Physics, 7, 215 (2010)
  9. R. Notzel. Semicond. Sci. Technol., 11, 1365 (1996).
  10. T.V. Shubina, V.A. Kosobukin, T.A. Komissarova, V.N. Jmerik, A.N. Semenov, B.Ya. Meltser, P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov, A. Vasson, J. Leymarie, N.A. Gippius, T. Araki, T. Akagi, Y. Nanishi. Phys. Rev. B, 79, 153 105 (2009)
  11. M.T. Cheng, S.D. Liu, H.J. Zhou, Z.H. Hao, Q.Q. Wang. Opt. Lett., 32, 2125 (2007)
  12. В.Н. Неведомский, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 43, 1662 (2009)
  13. N.A. Cherkashin, A. Claverie, C. Bonafos, V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. J. Appl. Phys., 102, 023 520 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.