"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Нина Александровна Горюнова (1916-1971) ( к 90-летию со дня рождения)
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.
[!t] 12 ноября исполняется 90 лет со дня рождения выдающегося российского ученого Нины Александровны Горюновой, основоположника химии сложных алмазоподобных полупроводников и основателя Лаборатории физико-химических свойств полупроводников Физико-технического института им. А. И. Иоффе Российской академии наук, лауреата премии им. Н. С. Курнакова АН СССР, кавалера ордена Ленина. Она родилась в Москве в 1916 году, окончила Ленинградский государственный университет, а с 1946 г. навсегда связала свою жизнь в науке с Физтехом. Начало ее работы в этом институте пришлось на время, когда исследовались только элементарные полупроводники и, как следствие, возникла острейшая необходимость в расширении круга полупроводниковых веществ с требуемыми для практических применений свойствами. На основании экспериментальных исследований низкотемпературного превращения олова она выдвинула предположение о том, что бинарные соединения InSb и CdTe, имеющие структуру цинковой обманки, должны обладать полупроводниковыми свойствами. Этот прорывный и смелый вывод Н. А. Горюновой нашел свое первое экспериментальное подтверждение в сотрудничестве с профессором А. Р. Регелем. В 1963 г. Н. А. Горюновой основана Лаборатория физико-химических свойств полупроводников, в которой были выращены первые кристаллы арсенида галлия и других соединений AIIIBV. Знаменательно, что соединения AIIIBV "родились" как полупроводники именно в лаборатории Н. А. Горюновой и оттуда распространились в лаборатории Физтеха, а затем в другие научные центры страны и мира. Под ее руководством был развит ряд новых методов кристаллизации полупроводников AIIIBV, впервые получены их твердые растворы и продемонстрированы новые возможности управления фундаментальными свойствами в семействе новых многокомпонентных алмазоподобных полупроводников. В этих пионерских работах Н. А. Горюновой и ее учеников фактически сформировались научные основы материаловедения, которые привели к созданию новых материалов, обеспечивающих развитие полупроводниковой электроники нового поколения. С именем Н. А. Горюновой связана также разработка правил образования семейства новых позиционно-упорядоченных многокомпонентных алмазоподобных фаз. Фантастическая творческая активность и дар увлечь своими идеями других позволили Нине Александровне проводить интенсивные исследования в новом направлении материаловедения, которое вскрывает все новые возможности получения полупроводников с рекордными нелинейной восприимчивостью и квантовой эффективностью фотопреобразования, предельной степенью линейной поляризации фотолюминесценции, поляризационной фоточувствительностью, экстраординарной радиационной стойкостью и т. п. Для Н. А. Горюновой было характерным сочетание фундаментальных исследований с подготовкой высококвалифицированных научных кадров, для чего в 1961 г. она организовала при Ленинградском политехническом институте им. М. И. Калинина (в настоящее время это Санкт-Петербургский государственный политехнический университет) кафедру полупроводникового материаловедения. Научные контакты Н. А. Горюновой были чрезвычайно широкими. В итоге ей реально удалось заинтересовать весь полупроводниковый мир своими захватывающими научными идеями. В ряду главных научных достижений профессора Н. А. Горюновой следует особо выделить ее оригинальную идею создания периодической системы химических соединений с требуемыми свойствами. Сегодня, спустя 35 лет после безвременной кончины Нины Александровны, мы, ее ученики, с благодарностью чтим память своего Учителя. Она была и навсегда останется для нас образцом беззаветного служения науке. Обозревая сделанное Н. А. Горюновой, следует выделить главное - это основание всемирно признанной научной школы физико-химических исследований многокомпонентных алмазоподобных полупроводников, школы, которую продолжают ее ученики. Редколлегия журнала << Физика и техника полупроводников>> и ученики
  1. J.M. Hvam. Phys. Rev. B, 4, 4459 (1971)
  2. C. Klingshirn. Adv. Mater. Opt. Electron., 3, 103 (1994)
  3. D.M. Bagnall, Y.F. Chen, M.Y. Shen, Z. Zhu, T. Goto. J. Cryst. Growth, 184/185, 605 (1998)
  4. Z.K. Tang, G.K. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohotomo, H. Koinuma, Y. Segawa. Appl. Phys. Lett., 72, 3270 (1998)
  5. A.N. Gruzintsev, V.T. Volkov, C. Barthou, P. Benalloul, J.-M. Friqerio. Thin Sol. Films, 459, 262 (2004)
  6. M. Obert, B. Wild, G. Bacher, A. Forhel, R. Andre. Phys. Status Solidi A, 190, 357 (2002)
  7. T. Gutbrod, M. Bayer, A. Forhel, J.P. Reithmaier, T.L. Reinecke, S. Rudin, P.A. Knipp. Phys. Rev. B, 57, 9950 (1998)
  8. А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, С.В. Дубонос, М.А. Князев, Е.Е. Якимов. ФТП, 38, 1473 (2004)
  9. A.V. Maslov, C.Z. Ning. Appl. Phys. Lett., 83, 1237 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.