Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Потенциальное быстродействие алмазного полевого транзистора на приповерхностном двумерном дырочном газе
Федеральное государственное бюджетное научное учреждение «Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук», Госзадание, FFUF-2024-0032
Кукушкин В.А.
1,2, Кукушкин Ю.В.2
1Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: vakuk@ipfran.ru, yuriy.kukushkinn@gmail.com
Поступила в редакцию: 15 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 20 июня 2024 г.
Принята к печати: 20 июня 2024 г.
Выставление онлайн: 8 октября 2024 г.
Показано, что обнаруженная недавно существенная вариация подвижности дырок в двумерном дырочном газе, находящемся под покрытой атомами водорода поверхностью искусственного алмаза, при изменении наложенного на него сильного ортогонального электрического поля может быть использована для создания быстродействующего алмазного полевого транзистора. Согласно проведенным расчетам, при реалистичных параметрах такого устройства время более чем 50% модуляции тока между истоком и стоком затворным напряжением быстро уменьшается с ростом слоевой концентрации дырок в формируемом этим газом приповерхностном проводящем канале и при ее величине 7· 1013 см-2 достигает 7 пс. Ключевые слова: алмаз, быстродействующий полевой транзистор, подвижность.
- Power Electronics Device Applications of Diamond Semiconductors, ed. by S. Koizumi, H. Umezawa, J. Pernot, M. Suzuki (Duxford, Elsevier, 2018)
- Optical Engineering of Diamond, ed. by R.P. Mildren and J.R. Rabeau (Weinheim, Wiley-VCH Verlag \& Co. KGaA, 2013)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1. [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N. Y., John Wiley \& Sons, 1981).]
- G. Akhgar, O. Klochan, L.H. Willems van Beveren, M.T. Edmonds, F. Maier, B.J. Spen-cer, J.C. McCallum, L. Ley, A.R. Hamilton, C.I. Pakes. Nano Lett., 16, 3768 (2016)
- Н. Ашкрофт, Н. Мермин. Физика твердого тела (М., Мир, 1979). [Пер. с англ.: N.W. Ashcroft, N.D. Mermin. Solid State Physics (N. Y., Holt, Rinehart and Winston, 1976)]
- J. Bousquet, T. Klein, M. Solana, L. Saminadayar, C. Marcenat, E. Bustarret. Phys. Rev. B, 95, 161301 (2017)
- R.S. Balmer, I. Friel, S. Hepplestone, J. Isberg, M.J. Uren, M.L. Markham, N.L. Palmer, J. Pilkington, P. Huggett, S. Majdi, R. Lang. J. Appl. Phys., 113, 033702 (2013)
- Y. Gurbuz, O. Esame, I. Tekin, W.P. Kang, J.L. Davidson. Solid-State Electron., 49, 1055 (2005)
- J.L. Liu, C.M. Li, R.H. Zhu, J.C. Guo, L.X. Chen, J.J. Wei, L.F. Hei, J.J. Wang, Z.H. Feng, H. Guo, F.X. Lv. Appl. Surf. Sci., 284, 798 (2013)
- C.M. Li, J.L. Liu, L.X. Chen, J.J. Wei, L.F. Hei, J.J. Wang, Z.H. Feng, H. Guo. Phys. Status Solidi C, 11, 1692 (2014)
- S.K. Hong, J.G. Oh, W.S. Hwang, B.J. Cho. Semicond. Sci. Technol., 32, 045009 (2017)
- J.-M. Baek, S.-W. Son, J.H. Park, J.-K. Park J.-G. Kwak, J. Yoon, D.-S. Bang, J.-H. Lee, T. Kim, D.-H. Kim. Solid-State Electron., 147, 58 (2018)
- I.C. Cherik, S. Mohammadi. Appl. Phys. A, 127, 525 (2021)
- M. Asad; S. Majdi; A. Vorobiev, K. Jeppson, J. Isberg, J. Stake. IEEE Electron Dev. Lett., 43, 300 (2022)
- N. Thoti, Y. Li. Nanoscale Res. Lett., 17, 53 (2022)
