Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Двухчастотное стимулированное излучение в гетероструктуре Hg(Cd)Te/CdHgTe

DOI: 10.61011/FTP.2023.06.56468.31k

Российский научный фонд, 22-12-00298

Фадеев М.А.¹, Янцер А.А.^1,2, Дубинов А.А.^1,2, Козлов Д.В.^1,2, Румянцев В.В.^1,2, Михайлов Н.Н.³, Гавриленко В.И.^1,2, Морозов С.В.^1,2

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

³Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: fadeev@ipmras.ru

Поступила в редакцию: 24 августа 2023 г.

В окончательной редакции: 1 сентября 2023 г.

Принята к печати: 1 сентября 2023 г.

Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены исследования спектров стимулированного излучения волноводной гетероструктуры с квантовыми ямами на основе HgCdTe. В ходе исследований использовалась оптическая накачка на длинах волн 2 и 2.3 мкм, которые в основном поглощаются, соответственно, в барьерах и квантовых ямах. Было установлено, что в обоих случаях оптическая накачка приводит к возникновению стимулированного излучения, с длиной волны, соответствующей энергии основного перехода в квантовых ямах, которая составляет 138 мэВ. При использовании накачки, поглощающейся в барьерах, было обнаружено, что на спектрах возникает коротковолновая линия излучения с энергией 248 мэВ, которая может быть объяснена переходами с участием глубоких донорных уровней. При температуре жидкого азота увеличение интенсивности накачки приводит к появлению узкого пика на фоне коротковолновой линии, и, подбирая параметры накачки, можно достичь двухчастотной генерации на длинах волн 5 и 7 мкм. Ключевые слова: узкозонные полупроводники, HgCdTe, глубокие доноры, стимулированное излучение.

A. Rogalski. Rep. Progr. Phys., 68 (10), 2267 (2005)
B.A. Bernevig, T.L. Hughes, S.C. Zhang. Science, 314 (5806), 1757 (2006)
S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, M.S. Zholudev, A.A. Dubinov, V.Y. Aleshkin, V.V. Utochkin, M.A. Fadeev, K.E. Kudryavtsev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko, F. Teppe. ACS Photonics, 8 (12), 3526 (2021)
S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, M.A. Fadeev, M.S. Zholudev, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 111 (19), 192101 (2017)
K.E. Kudryavtsev, V.V. Rumyantsev, V.Y. Aleshkin, A.A. Dubinov, V.V. Utochkin, M.A. Fadeev, N.N. Mikhailov, G. Alymov, D. Svintsov, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov. Appl. Phys. Lett., 117 (8), 083103 (2020)
M.A. Fadeev, A.O. Troshkin, A.A. Dubinov, V.V. Utochkin, A.A. Razova, V.V. Rumyantsev, V.Y. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, S.V. Morozov. Opt. Eng., 60 (08), 1 (2020)
A.M. Kadykov, F. Teppe, C. Consejo, L. Viti, M.S. Vitiello, S.S. Krishtopenko, S. Ruffenach, S.V. Morozov, M. Marcinkiewicz, W. Desrat, N. Dyakonova, W. Knap, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky. Appl. Phys. Lett., 107 (15), 152101 (2015)
Y. Yao, A.J. Hoffman, C.F. Gmachl. Nat. Photonics, 6 (7), 432 (2012)
Y. Bai, N. Bandyopadhyay, S. Tsao, S. Slivken, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 98 (18), 181102 (2011)
I. Vurgaftman, W.W. Bewley, C.L. Canedy, C.S. Kim, M. Kim, C.D. Merritt, J. Abell, J.R. Lindle, J.R. Meyer. Nat. Commun., 2 (1), 585 (2011)
R.Q. Yang, J.L. Bradshaw, J.D. Bruno, J.T. Pham, D.E. Wortman. IEEE J. Quant. Electron., 37 (2), 282 (2001)
J.O. Dimmock, I. Melngailis, A.J. Strauss. Phys. Rev. Lett., 16 (26), 1193 (1966)
L. Kurbatov, A. Britov, S. Karavaev, S. Sivachenko, S. Maksimovskii, I. Ovchinnikov, M. Rzaev, P. Starik. Sov. J. Exp. Theor. Phys. Lett., 37, 422 (1983)
N.N. Mikhailov, R.N. Smirnov, S.A. Dvoretsky, Y.G. Sidorov, V.A. Shvets, E.V. Spesivtsev, S.V. Rykhlitski. Int. J. Nanotechnol., 3 (1), 120 (2006)
М.А. Фадеев, А.А. Дубинов, В.Я. Алешкин, В.В. Румянцев, В.В. Уточкин, В.И. Гавриленко, Ф. Теппе, Х.-В.Х.-В. Хюберс, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Ф. Теп, Х.-В.Х.-В. Хюберс, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Ф. Теппе, Х.-В.Х.-В. Хюберс, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, С.В. Морозов. Квант. электрон., 49 (6), 556 (2019)
K.E. Kudryavtsev, V.V. Rumyantsev, V.V. Utochkin, M.A. Fadeev, V.Y. Aleshkin, A.A. Dubinov, M.S. Zholudev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.G. Remesnik, F. Teppe, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov. J. Appl. Phys., 130 (21), (2021)
C.W. Myles, P.F. Williams, R.A. Chapman, E.G. Bylander. J. Appl. Phys., 57 (12), 5279 (1985)
J. Shao, L. Chen, W. Lu, X. Lu, L. Zhu, S. Guo, L. He, J. Chu. Appl. Phys. Lett., 96 (12), 1 (2010)
K. Lischka. Phys. Status Solidi, 133 (1), 17 (1986)
D.L. Polla, R.L. Aggarwal. Appl. Phys. Lett., 44 (8), 775 (1984)
S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, K.V. Maremyanin, K.E. Kudryavtsev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 105 (2), 22102 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель