"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Двух- и трехфотонный линейно-циркулярный дихроизм в полупроводниках кубической симметрии
Министерство высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан, Физика и астрономия, ОТ -Ф2-66
Расулов В.Р.1, Расулов Р.Я.1, Султонов Р.Р.1, Ахмедов Б.Б.1
1Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
Email: r_rasulov51@mail.ru
Поступила в редакцию: 19 июня 2020 г.
В окончательной редакции: 13 июля 2020 г.
Принята к печати: 13 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2020 г.

Теоретически исследован линейно-циркулярный дихроизм двух- и трехфотонного поглощения света в полупроводниках кубической симметрии дырочной проводимости. Рассчитаны матричные элементы двух- и трехфотонных оптических переходов, протекающих между подзонами валентной зоны полупроводника. При этом учтены переходы, связанные как с неодновременным поглощением отдельных фотонов, так и одновременным поглощением двух фотонов, а также определены спектральная и температурная зависимости коэффициента двух- и трехфотонного поглощения поляризованного излучения. Ключевые слова: линейно и циркулярно поляризованный свет, матричный элемент, оптический переход, вероятность перехода, носители тока, валентная зона, полупроводник.
  1. E.L. Ivchenko. Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures (Harrow, Alpha Science International Ltd, 2005) v. XII, p. 427
  2. Е.Л. Ивченко. Автореф. докт. дис. (Л., 1983) с. 148; Е.Л. Ивченко. ФТТ, 14 (12), 3489 (1972)
  3. M.I. Dyakonov (еd.). Spin Physics in Semiconductors (Springer Verlag, Heidelberg, 2008) р. 447; F. Meier, B.P. Zakharchenya (eds). Optical orientation (North-Holland, N. Y.--Tokyo, 1984) р. 534
  4. В.А. Шалыгин. Автореф. докт. дис. (СПб., 2013) с. 34
  5. Р.Я. Расулов. Диссертация на соиск. уч. ст. докт. дис. (СПб., 1993) с. 168
  6. R.A. Negres A., J.M. Hales, A. Kobyakov, D.J. Hagan, E.W. van Stryland. IEEE J. Quant. Electron., 38, 205 (2002)
  7. J. He, Y. Qu, H. Li, J. Mi, W. Ji. Opt. Express, 13, 9235 (2005)
  8. W.C. Hurlbut, Y.-Sh. Lee, K.L. Vodopyanov, P.S. Kuo, M.M. Fejer. Optics Lett., 32, 668 (2007)
  9. Sh. Pearl, N. Rotenberg, H.M. van Driel. Appl. Phys. Lett., 93, 131102 (2008)
  10. V.R. Rasulov, R.Ya. Rasulov, I. Eshboltaev. Phys. Solid State, 59 (3), 463 (2017)
  11. V.R. Rasulov, R.Ya. Rasulov, I. Eshboltaev. Russian Phys. J., 58 (12), 1681 (2016)
  12. Р.Я. Расулов. ФТТ, 35 (6), 1107 (1993)
  13. С.Д. Ганичев, Е.Л. Ивченко, Р.Я. Расулов, И.Д. Ярошецкий, Б.Я. Авербух. ФТТ, 35 (1), 198 (1993)
  14. V.R. Rasulov, R.Ya. Rasulov, I. Eshboltaev. Semiconductors, 50 (2), 145 (2016)
  15. V.R. Rasulov, R.Ya. Rasulov, I. Eshboltaev. Russian Phys. J., 59 (1), 92 (2016)
  16. В.Р. Расулов, Р.Я. Расулов, И.М. Эшболтаев. Изв. вузов. Физика, 59 (3), 114 (2013)
  17. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1973) с. 584
  18. Е.Л. Ивченко, Р.Я. Расулов. Симметрия и реальная зонная структура полупроводников (Ташкент, Фан, 1989) с. 126