"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние ультрафиолетового излучения и электрического поля на проводимость структур на основе alpha- и ε-Ga2O3
Калыгина В.М.1, Николаев В.И.2,3, Алмаев А.В.1, Цымбалов А.В.1, Копьев В.В.1, Петрова Ю.С.1, Печников И.А.3, Бутенко П.Н.3
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Kalygina@ngs.ru, nkvlad@inbox.ru, almaev_alex@mail.ru, zoldmine@gmail.com, viktor.kopev@gmail.com, petrovays@mail.ru, alpechn@yandex.ru, pavel@butneko.info
Поступила в редакцию: 27 мая 2020 г.
В окончательной редакции: 2 июня 2020 г.
Принята к печати: 2 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.

Рассмотрено влияние ультрафиолетового излучения и сильного электрического поля на проводимость структур на основе двух типов полиморфных пленок оксида галлия. Оба типа пленок Ga2O3 получены осаждением из газовой фазы методом хлоридной эпитаксии на гладкие и структурированные сапфировые подложки ориентации (0001). В одном и том же процессе на гладких подложках росли alpha-Ga2O3 пленки, а на структурированных --- пленки оксида галлия, с регулярными структурами, перпендикулярными к подложке, содержащими чередующиеся области alpha- и ε-фазы. Резистивные структуры на основе двухфазных пленок обнаруживают переход из состояния с низким сопротивлением в состояние с высоким сопротивлением при воздействии излучения с λ=254 нм и сильного электрического поля. Время формирования отклика на УФ излучение --- 5 с, время восстановления меньше 1 с. Ключевые слова: оксид галлия, HVPE, полиморфизм, ультрафиолет, вольт-амперные характеристики.
  1. S. Lee, Y. Ito, K. Kaneko, S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys., 54, 3 (2015)
  2. A.A. Dakhel. Sol. St. Sci., 20, 54 (2013)
  3. S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Rev. Adv. Mater. Sci., 44, 63 (2016)
  4. I. Cora, F. Mezzadri, F. Boschi, M. Bosi, M. Caplovicova, G. Calestani, I. Dodony, B. Pecza, R. Fornari. Cryst. Eng. Commun., 19, 1509 (2017)
  5. D. Guo, X. Qin, M. Lv, H. Shi, Y. Su, G. Yao, S. Wang, C. Li, P. Li, W. Tang. Electron. Mater. Lett., 13, 483 (2017)
  6. L. Qian, Z. Wu, Y. Zhang, P. Lai, X. Liu, Y. Li. ACS Photonics, 4, 2203 (2017)
  7. J.W. Roberts, P.R. Chalker, B. Ding, R.A. Oliver, J.T. Gibbon, L.A.H. Jones, V.R. Dhanak, L.J. Phillips, L.J. Major, F.C. Massabuau. J. Cryst. Growth, 528, 125254 (2019)
  8. X. Xia, Y. Chen, Q. Feng, H. Liang, P. Tao, M. Xu, G. Du. Appl. Phys. Lett., 108, 202103 (2016)
  9. H. Son, Y. Choi, J. Hwang, D. Jeon, Y. Ra, Y. Lee, J. Kim, S. Kim, T. Lim. ECS J. Solid State Sci. Technol., 8, 3024 (2019)
  10. Y. Xu, C. Zhang, Y. Cheng, Z. Li, Y. Cheng, Q. Feng, D. Chen, J. Zhang, Y. Hao. Materials, 12, 3670 (2019)
  11. V.I. Nikolaev, A.I. Pechnikov, V.V. Nikolaev, M.P. Scheglov, A.V. Chikiryaka, S.I. Stepanov, O.S. Medvedev, S.V. Shapenkov, E.V. Ubyivovk, O.F. Vyvenko. J. Phys.: Conf. Ser., 1400, 055049 (2019)
  12. S. Shapenkov, O. Vyvenko, E. Ubyivovk, O. Medvedev, G. Varygin, A. Chikiryaka, A. Pechnikov, M. Scheglov, S. Stepanov, V. Nikolaev. Phys. Status Solidi A, 217, 1900892 (2020).
  13. C. Shih. Adv. Mater. Sci. Engin., 2014, 4 (2014)
  14. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  15. G.C. Hu, C.X. Shan, N. Zhang, M.M. Jiang, S.P. Wang, D.Z. Shen. Opt. Express, 23, 13559 (2015)
  16. S.B. Cho, R. Mishra. Appl. Phys. Lett., 112, 162101 (2018).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.