Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электропроводность FeGaInSe₄ на переменном токе

DOI: 10.21883/FTP.2020.06.49378.9346

Переводная версия: 10.1134/S1063782620060123

Нифтиев Н.Н.¹, Мамедов Ф.М.², Мурадов М.Б.³

¹Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан Azerbaijan State Pedagogical University, Baku, Azerbaijan

Azerbaijan State Pedagogical University, Baku, Azerbaijan

²Институт катализа и неорганической химии НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

³Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан Baku State University, Baku, Azerbaijan

Email: namiq7@bk.ru, faimamadov@mail.ru, mbmuradov@gmail.com

Поступила в редакцию: 14 января 2020 г.

В окончательной редакции: 4 февраля 2020 г.

Принята к печати: 14 февраля 2020 г.

Выставление онлайн: 26 марта 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты исследования частотных и температурных зависимостей электропроводности кристаллов FeGaInSe₄ на переменном электрическом токе. Установлено, что при исследуемых температурах в интервале частот f=5·10⁴-10⁶ Гц для электропроводности выполняется закономерность sigma propto f^S (0.1≤ s≤1.0). Из температурных зависимостей проводимости определены энергии активации. Показано, что в кристалле FeGaInSe₄ зависимость электропроводности от частоты можно объяснить при помощи мультиплетной модели, а значит, проводимость в этих кристаллах определяется зонно-прыжковым механизмом. Ключевые слова: электропроводность, зонно-прыжковый механизм, кристаллы FeGaInSe₄.

Y. Hwang, J. Choi, Y. Ha, S. Cho, H. Park. Curr. Appl. Phys., 20, 212 (2020)
B.R. Myoung, J.T. Lim, C.S. Kim. J. Magn. Magn. Mater., 438, 121 (2017)
K. Takubo, T. Mizokawa, Y. Nambu, S. Nakatsuji. Phys. Rev. B, 79, 134422 (2009)
S. Lei, K. Tang, Z. Fang, Y. Qi, H. Zheng. Mater. Res. Bull., 41, 2325 (2006)
T. Torres, V. Sagredo, L.M. de Chalbaund, G. Attolini, F. Bolzoni. Phys. Condens. Matter, 384, 100 (2006)
C. Xiangying, Z. Zhongjie, Z. Xingfa, L. Jianwei, Q. Yitai. J. Cryst. Growth, 277, 524 (2005)
И.В. Боднарь, С.А. Павлюковец, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 43, 1553 (2009)
И.В. Боднарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 43, 1549 (2009)
И.В. Боднарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Д.В. Ложкин. ФТП, 45, 941 (2011)
З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, В.В. Нетяга, А.В. Заслонкин. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 5, 43 (2007)
H. Kim, A.P. Tiwari, E. Hwang, Y. Cho, H. Hwang, S. Bak, Y. Hong, H. Lee. Adv. Sci., 5 (7), 1800068 (2018). www.advancedsciencenews.com
Ф.М. Мамедов, С.З. Имамалиева, И.Р. Амирасланов, М.Б. Бабанлы. Конденсированные среды и межфазные границы, 20, 604 (2018)
F.M. Mammadov, I.R. Amiraslanov, S.Z. Imamaliyeva, M.B. Babanly. J. Phase Equilib. Diffus., 20, 787 (2019)
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (M., Мир, (1982) т. 1
Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, М.А. Алиджанов, М.Б. Мурадов. Украин. физ. журн., 47, 1054 (2002)
Н.Н. Нифтиев, М.А. Алиджанов, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов. ФТП, 38, 550 (2004)
Н.Н. Нифтиев. ФТП, 38, 166 (2004)
Н.Н. Нифтиев. ФТП, 38, 522 (2004)
N. Bettger, V. Bruksin. Phys. Status Solidi B, 113, 9 (1982)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронная свойства легированных полупроводников (M., Наука, 1979)
В.В. Брыксин. ФТТ, 22, 2441 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель