"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Диффузионное размытие квантовых ям GaAs, выращенных при низкой температуре
Переводная версия: 10.1134/S1063782618130213
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-02-01168
Президиум РАН , Актуальные проблемы фотоники, зондирование неоднородных сред и материалов
Ушанов В.И.1, Чалдышев В.В.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: Decorus2009@mail.ru
Поступила в редакцию: 31 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1969 г.

Методом фотолюминесцентной спектроскопии исследованы процессы диффузионного размытия периодической системы квантовых ям GaAs, разделенных барьерами AlGaAs, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре (200oC) и дополнительно легированной изовалентными примесями Sb и P. Отжиг при температуре 750oC в течение 30 мин после роста приводил к увеличению энергии пика фотолюминесценции экситонного состояния e1-hh1 в квантовых ямах вследствие размытия эпитаксиальных интерфейсов GaAs/AlGaAs, вызванных усиленной взаимодиффузией атомов Al-Ga по катионной подрешетке. Для профиля концентрации Al в квантовых ямах, определяемого линейной диффузией, было решено уравнение Шредингера для электронов и дырок. Оказалось, что экспериментально наблюдаемое энергетическое положение пика фотолюминесценции соответствует длине взаимной диффузии Al-Ga 3.4 нм и эффективному коэффициенту диффузии 6.3· 10-17 см2/c для температуры 750oC. Полученное значение оказалось близким к значению для квантовых ям GaAs, выращенных при низкой температуре без дополнительного легирования примесями Sb и P. Полученные результаты позволяют сделать вывод о незначительном влиянии усиленной взаимодиффузии As-Sb и As-P в анионной подрешетке на процессы взаимодиффузии Al-Ga по катионной подрешетке.
  1. I. Lahiri, D.D. Nolte, M.R. Melloch, J.M. Woodall, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 69, 239 (1996)
  2. R. Guersen, I. Lahiri, M. Dinu, M.R. Melloch, D.D. Nolte. Phys. Rev. B, 60, 10926 (1999)
  3. I. Lahiri, D.D. Nolte, J.C.P. Chang, J.M. Woodall, M.R. Melloch. Appl. Phys. Lett., 67, 1244 (1995)
  4. А.А. Пастор, У.В. Прохорова, П.Ю. Сердобинцев, В.В. Чалдышев, М.А. Яговкина. ФТП, 47, 8 (2013)
  5. I. Lahiri, D.D. Nolte, E.S. Harmon, M.R. Melloch, J.M. Woodall. Appl. Phys. Lett., 66, 2519 (1995)
  6. D.D. Nolte. J. Appl. Phys., 85, 6259 (1999)
  7. D.G. Deppe, N. Holonyak. J. Appl. Phys., 64, R93 (1988)
  8. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, Yu.G. Musikhin, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 74, 1442 (1999)
  9. Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, А.А. Суворова, В.В. Чалдышев, P. Werner. ФТП, 32, 769 (1998)
  10. V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, Yu.G. Musikhin, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner, U. Gosele. Appl. Phys. Lett., 79, 1294 (2001)
  11. H. Bender, W. Coene, A.F.D. Jong. Ultramicroscopy, 21, 373 (1987)
  12. D.B. Mc Whan, R.M. Fleming, A.C. Gossard, W. Wiegmann, R.A. Logan. J. Appl. Phys., 51, 357 (1980)
  13. D.A. Collins, R.M. Feenstra, D.Z.Y. Ting, M.W. Wang, T.C. Mc Gill. Phys. Rev. Lett., 72, 2749 (1994)
  14. J. Singh, K.K. Bajaj. Appl. Phys. Lett., 47, 594 (1985)
  15. V.V. Chaldyshev. Mater. Sci. Eng. B, 88, 195 (2002)
  16. T. Tan, U. Goesele, S. Yu. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci., 17, 47 (1991).
  17. M. Schultz, U. Egger, R. Scholz, O. Breitenstein, U. Gosele, T.Y. Tan. J. Appl. Phys., 83, 5295 (1998)
  18. S. Adachi. J. Appl. Phys., 58, R1 (1985).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.