"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
Переводная версия: 10.1134/S1063782618070072
Емцев В.В.1, Гущина Е.В.1, Петров В.Н.1, Тальнишних Н.А.2, Черняков А.Е.2, Шабунина Е.И.1, Шмидт Н.М.1, Усиков А.С.3, Карташова А.П.1, Зыбин А.А.4, Козловский В.В.5, Кудояров М.Ф.1, Сахаров А.В.1, Полоскин Д.С.1, Лундин В.В.1, Оганесян Г.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Nitride Crystals Inc., NY, Deer Park, USA
4ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: Natalia.Shmidt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 21 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

Фрактально-перколяционная система, включающая протяженные дефекты и случайные флуктуации состава твердого раствора, формируется в процессе роста приборных структур на основе нитридов элементов III группы. Установлено, что свойства этой системы определяются не только условиями роста. Показано, что многообразие электрических и оптических свойств светодиодов InGaN/GaN, излучающих на длинах волн 450-460 и 519-530 нм, а также электрофизических свойств HEMT-структур AlGaN/GaN вызвано модификацией свойств фрактально-перколяционной системы как в процессе роста, так и под действием инжекционного тока и радиационных воздействий. Обсуждается влияние этих особенностей на срок службы светоизлучающих приборов и надежность HEMT-структур AlGaN/GaN.
  1. C.A. Hurni, A. David, M.J. Cich, R.I. Aldaz, B. Ellis, K. Huang, M.R. Krames. Appl. Phys. Lett., 106, 031101 (2015)
  2. F. Nippert, S.Yu. Karpov, G. Callsen, B. Galler, T. Kure, C. Nenstiel, M.R. Wagner, M. Strassburg, H.-Ju. Lugauer, Axel Hoffmann. Appl. Phys. Lett., 109, 1611039 (2016)
  3. M. Auf der Maur, A. Pecchia, G. Penazzi, W. Rodrigues, A. Di Carlo. Phys. Rev. Lett., 116, 027401 (2016)
  4. P. Marko, M. Menegini, S. Bychikhin, G. Meneghesso, D. Pogany. Microelectron. Reliab., 52, 2194 (2012)
  5. R. Lossy, H. Blanck, J. Wurfl. Microelectron. Reliab., 52, 2144 (2012)
  6. G. Pozina, R. Ciechonski, Zh. Bi, L. Samuelson, B. Monemar. Appl. Phys. Lett., 107, 251106 (2015)
  7. В.Н. Петров, В.Г. Сидоров, Н.А. Тальнишних, А.Е. Черняков, Е.И. Шабунина, Н.М. Шмидт, А.С. Усиков, H. Helava, Ю.Н. Макаров. ФТП, 50 (9), 1173 (2016)
  8. M. Binder, B. Galler, M. Furitsch, J. Off, J. Wagner, R. Zeisel, S. Katz. Appl. Phys. Lett., 103, 221110 (2013)
  9. M. Auf der Maur, B. Galler, I. Pietzonka, M. Strassburg, H. Lugauer, A. Di Carlo. Appl. Phys. Lett., 105, 133504 (2014)
  10. Н.И. Бочкарева, А.М. Иванов, А.В. Клочков, В.С. Коготков, Ю.Т. Ребане, М.В. Вирко, Ю.Г. Шретер. ФТП, 49 (6), 847 (2015)
  11. C. De Santi, M. Meneghini, M. La Grassa, B. Galler, R. Zeisel, M. Goano, S. Dominici, M. Mandurrino, F.Bertazzi, D. Robidas, G. Meneghesso, E. Zanoni. J. Appl. Phys., 119, 094501 (2016)
  12. S. Steingrube, O. Breitenstein, K. Ramspeck, S. Glunz, A. Schenk, P.P. Altermatt. J. Appl. Phys., 110, 014515 (2011)
  13. N. Shmidt, A. Usikov. E. Shabunina, A. Chernyakov, A. Sakharov, S. Kurin, A. Antipov, I. Barash, A. Roenkov, H. Helava, Y. Makarov. Physica Status Solidi C, 12 (4-5), 349 (2015)
  14. Н.М. Шмидт, А.С. Усиков, Е.И. Шабунина, А.Е. Черняков, А.В. Сахаров, С.Ю. Курин, А.А. Антипов, И.С. Бараш, А.Д. Роенков, Ю.Н. Макаров, H. Helava. Письма ЖТФ, 40 (13), 73 (2014)
  15. В.В. Емцев, Е.Е. Заварин, Г.А. Оганесян, В.Н. Петров, А.В. Сахаров, Н.М. Шмидт, В.Н. Вьюгинов, А.А. Зыбин, Я.М. Парнес, С.И. Видякин, А.Г. Гудков, А.Е. Черняков. Письма ЖТФ, 42 (13), 80 (2016)
  16. V.A. Shalygin, L.E. Vorobjev., D.A. Firsov, A.N. Sofronov, G.A. Melentyev, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov. J. Appl. Phys., 109, 073108 (2011)
  17. A.E. Chernyakov, M.E. Levinshtein, N.A. Talnishnikh, E.I. Shabunina, N.M. Shmidt. J. Cryst. Growth, 401, 302 (2014)
  18. L. Dobrzanski. J. Appl. Phys., 96, 4135 (2004)
  19. Г.П. Жигальский. Флуктации и шумы в электронных твердотельных приборах (М., Физматлит, 2012) c. 512
  20. А.Л. Закгейм, М.Е. Левинштейн, В.П. Петров, А.Е. Черняков, Е.И. Шабунина, Н.М. Шмидт. ФТП, 46 (2). 219 (2012)
  21. B. Lambert, N. Labat, D. Carisetti, L. Brunel, M. Mermoux. Microelectron. Reliab., 52, 2184 (2012)
  22. Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн, S. Contreras, W. Knap, B. Beaumont, P. Gibart. ФТП, 32 (3), 285 (1998)
  23. S.L. Rumyantsev, Y. Deng, E. Borovitskaya, A. Dmitriev, W. Knap, N. Pala, M.S. Shur, M.E. Levinshtein, M. Asif Khan, G. Simin, J. Yang, X. Hu. J. Appl. Phys., 92, 4726 (2002)
  24. В.В. Емцев, Е.Е. Заварин, М.А. Козловский, М.Ф. Кудояров, В.В. Лундин, Г.А. Оганесян, В.Н. Петров, Д.С. Полоскин, А.В. Сахаров, С.И. Трошков, Н.М. Шмидт, В.Н. Вьюгинов, А.А. Зыбин, Я.М. Парнес, С.И. Видякин, А.Г. Гудков, А.Е. Черняков, В.В. Козловский. Письма ЖТФ, 42 (21), 39 (2016). 
  25. Д.В. Громов, Г.В. Чуков. Влияние радиации на гетероструктурные СВЧ приборы и интегральные схемы (Palamarium Academic Publishing, 2012) с. 91.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.