"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле
Михайлова М.П.1, Березовец В.А.1,2, Парфеньев Р.В.1, Данилов Л.В.1, Сафончик М.О.1, Hospodkova A.3, Pangrac J.3, Hulicius E.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures, Wroclaw, Poland
3Institute of Physics, CAS, v.v.i., Praha, Czech Republic
Email: mikh.iropt1@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

Вертикальный транспорт исследован в гетеропереходах II типа с двухбарьерной квантовой ямой AlSb/InAs/GaSb/AlSb, выращенной методом МОГФЭ (MOVPE) на подложке n-InAs(100), в квантующих магнитных полях до B=14 Тл при низких температурах, T=1.5 и 4.2 K. Ширина квантовых ям выбиралась из условия получения инвертированной зонной структуры. Измерения осцилляций Шубникова-де-Гааза проводились при двух ориентациях магнитного поля (перпендикулярной и параллельной) относительно плоскости структуры. Установлено, что проводимость в исследуемой структуре осуществлялась как трехмерными (3D) электронами подложки, так и двумерными (2D) электронами квантовой ямы InAs в условиях квантового предела для объемных электронов (B>5 Tл). Определены концентрации электронов в подложке и в квантовой яме InAs, а также g-фактор для трехмерных носителей из спинового расщепления нулевого уровня Ландау. Показано, что максимумы кондактанса в магнитном поле, перпендикулярном плоскости структуры и параллельном току через структуру, в полях B>9 Тл соответствуют резонансному туннелированию 3D электронов из подложки-эмиттера в квантовую яму InAs через 2D электронные состояния уровней Ландау. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45019.8598
  1. Y. Naveh, B. Laikhtman. Appl Phys. Lett., 66, 1980 (1995)
  2. H. Kroemer. Physica E, 20, 196 (2004)
  3. A. Zakharova, S.T. Yen, K.A. Chao. Phys. Rev. B, 64, 235332 (2001); Phys. Rev. B, 66, 085312 (2002)
  4. L.L. Chang. J. Phys. Soc. Jpn., 49, Suppl. A, 997 (1980)
  5. M.Y. Yang, C.H. Yang, B.R. Bennet, B.V. Shanabrook. Phys. Rev. Lett., 78, 4613 (1997)
  6. C. Liu, T.L. Hughes, X.L. Qi, K. Wang, S. Zhang. Phys. Rev. B, 81, 236601 (2008)
  7. I. Knez, R.R. Du, G. Sullivan. Phys. Rev. B, 81, 201301 (2010)
  8. I. Knez, C.T. Rettner, S.-H. Yang, S.S.P. Parkin, L. Du, R.-R. Du, G. Sullivan. Phys. Rev. Lett., 112, 026602 (2014)
  9. L. Du, I. Knez, G. Sullivan, R.R. Du. Phys. Rev. Lett., 114, 096802 (2015)
  10. F. Nichele, A.N. Pal, P. Pietsch, I. Ihn, K. Enslin, C. Charpenter, W. Wegscheider. Phys. Rev. Lett., 112, 036802 (2014)
  11. X. Shi, W. Yu, Zh. Jiang, B.A. Bernving et al. arXiv: 1410.7342.v3 [cond-mat.supr-cond].20.Nov.2014
  12. M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9 (7), 1279 (1994)
  13. K.D. Moiseev, V.A. Berezovets, M.P. Mikhailova, V.I. Nizhankovski, R.V. Parfeniev, Yu.P. Yakovlev. Surf. Sci., 482, 1083 (2001)
  14. M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Semicond. Sci. Technol., 19, R109 (2004)
  15. R.V. Parfeniev, K.D. Moiseev, V.A. Berezovets, N.S. Averkiev, M.P. Mikhailova, V.I. Nizhankovski, D. Kaczorovsky. J. Magn. Mater., 321 (7), 712 (2009)
  16. V.A. Berezovets, K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, R.V. Parfeniev, Yu.P. Yakovlev, V.I. Nizhankovski. Low. Temper. Phys., 33 (2-3), 137 (2007)
  17. N.S. Averkiev, V.A. Berezovets, M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, V.I. Nizhankovski, R.V. Parfeniev, K.S. Romanov. Phys. Solid-State, 46 (11), 2153 (2004)
  18. A. Nogaret, M.A. Maldonado, R.E. Carnahan, K.P. Martin, R.J. Higgins. Phys. Rev. B, 47 (20), 13872 (1993)
  19. E. Mendez, J. Nocera, W.I. Wang. Phys. Rev. B, 45, 3910 (1992)
  20. D.J. Barnes, R.J. Nickolas, R.J. Warburton, N.J. Mason, P.Y. Walker, N. Miura. Phys. Rev. B, 49 (15), 10474 (1994)
  21. E.E. Mendez, J. Nocera. Phys. Rev. B, 47 (20), 13937 (1993)
  22. X.X. Liu, R.R. Marquardt, D.Z.-Y. Ting, T.C. McGill. Phys. Rev. B, 55, 7073 (1997)
  23. D. Kindl, J. Touskova, E. Hulicius, J. Pangrac, T. vSimecek, V. Jurka, P. Hubik, J.J. Mares, J. Kristofic. J. Appl. Phys., 95 (4), 1811 (2004)
  24. M.P. Mikhailova, E.V. Ivanov, L.V. Danilov, K.V. Kalinina, N.D. Stoyanov, G.G. Zegrya, Yu.P. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, M. Zikova. J. Appl. Phys., 112, 023108 (2012)
  25. A. Hospodkova, E. Hulicius, J. Pangrac, F. Dominec, M.P. Mikhailova, A.I. Veinger, I.V. Kochman. J. Cryst. Growth, 464, 206 (2017)
  26. L.L. Chang, N.J. Kawai, E.E. Mendez, C.-A. Chang, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 38, 30 (1981)
  27. M. Altareli, J.C. Maan, L.L. Chang, L. Esaki. Phys. Rev. B, 35, 189867 (1987)
  28. E.E. Mendez, L. Esaki, W.I. Wang. Phys. Rev. B, 33 (4), 2893 (1985)
  29. M.P. Mikhailova, A.I. Veinger, I.V. Kochman, P.V. Semenikhin, K.V. Kalinina, R.V. Parfeniev, V.A. Berezovets, M.O. Safonchik, A. Hospodkova, J. Pangrac, M. Zikova, E. Hulicius. J. Nanophoton., 10 (4), 046013 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.