"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические свойства гибридных наноструктур "квантовая яма-точки", полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
Российский научный фонд, 16-12-10269
CRDF, FSCX-14-61093-0
Минтаиров С.А. 1,2,3, Калюжный Н.А. 1,3,4, Надточий А.М. 1,2,3, Максимов М.В. 1,3,4, Рувимов С.С.5, Жуков А.Е. 1,4
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
5University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA
Email: mintairov@scell.ioffe.ru, nickk@mail.ioffe.ru, al.nadtochy@mail.ioffe.ru, maximov@beam.ioffe.ru, Sergei.Rouvimov.1@nd.edu, zhukale@gmail.com
Поступила в редакцию: 6 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

Показано, что осаждение InxGa1-xAs с концентрацией индия от 0.3 до 0.5 и средней толщиной от 3 до 27 монослоев на подложку GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии при пониженных температурах роста приводит к возникновению модуляций толщины и концентрации атомов индия в формирующихся слоях. В силу их свойств, полученные наноструктуры могут быть отнесены к промежуточному типу между идеальными квантовыми ямами и квантовыми точками. В зависимости от толщины и состава InGaAs, длина волны максимума линии фотолюминесценции гибридных наноструктур квантовая яма-точки меняется от 950 до 1100 нм. Определены оптимальные толщины и составы осажденного InxGa1-xAs, обеспечивающие максимальную длину волны излучения при сохранении высокой квантовой эффективности. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44210.8394
  1. I. Vurgaftmana, J.R. Meyer. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
  2. B. Browne, J. Lacey, T. Tibbits, G. Bacchin, T.-C. Wu, J.Q. Liu, X. Chen, V. Rees, J. Tsai, J.-G. Werthen. AIP Conf. Proc., 1556, 3 (2013)
  3. H. Fujii, T. Toprasertpong, Y. Wang, K. Watanabe, M. Sugiyama, Y. Nakano. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 22, 784 (2014)
  4. L.A. Coldren, S.W. Corzine, M.L. Mashanovitch. Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits, ISBN: 978-0-470-48412-8
  5. А.Е. Жуков, М.В. Максимов, А.Р. Ковш. ФТП, 46 (10), 1249 (2012)
  6. S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S. Rouvimov, A.E. Zhukov. Electron. Lett., 51 (20), 1602 (2015).
  7. N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.E. Zhukov, A.M. Nadtochiy, E.I. Moiseev, I.I. Shostak, M.M. Kulagina, K.A. Vashanova, Y.M. Zadiranov, S.I. Troshkov, V.V. Nevedomsky, S.A. Ruvimov, A.A. Lipovskii, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov. J. Lightwave Technol., 33 (1), 171 (2015)
  8. S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S. Rouvimov, A.E. Zhukov. Nanotechnology, 26 (38), 385202 (2015)
  9. GB. Stringfellow. Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice, 2nd edn (Academic Press, San Diego, 1999)
  10. А.М. Надточий, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, С.С. Рувимов, Ю.М. Шерняков, А.С. Паюсов, М.В. Максимов, А.Е. Жуков. ФТП, 49 (8), 1115, (2015)
  11. F. Guffarth, R. Heitz, A. Schliwa, O. Stier, N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 64, 085305, 7 (2001)
  12. А.М. Надточий, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, А.С. Паюсов, S.S. Rouvimov, М.В. Максимов, А.Е. Жуков. ФТП, 50 (9), 1202 (2016).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.