"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Туннельный транспорт через массивы пассивированных нанокристаллов CdS, полученных методом Ленгмюра- Блоджетт
Свит К.А.1, Протасов Д.Ю.1, Свешникова Л.Л.1, Шестаков А.К.1, Тийс С.А.1, Журавлев К.С.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 19 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

Методом сканирующей электронной спектроскопии исследован туннельный электронный транспорт через массивы нанокристаллов CdS, полученных методом Ленгмюра-Блоджетт. Исследовано влияние атмосферы отжига матрицы на туннельный транспорт через массивы нанокристаллов. По туннельным вольт-амперным характеристикам обнаружен захват электронов на ловушки в случае нанокристаллов, отожженных в вакууме. Туннельные вольт-амперные характеристики проанализированы с помощью модели, связывающей данные туннельной спектроскопии, фотолюминесценции и квантово-механический расчет. Анализ показал, что при отжиге в аммиаке происходит пассивация поверхности нанокристаллов его монослоем. Обнаружено, что подложка и окружающие непассивированные нанокристаллы влияют на поляризационную энергию электронов.
  1. G.M. Jones, B.H. Hu, C.H. Yang, M.J. Yang, Y.B. Lyanda-Geller. Appl. Phys. Lett., 88, 192 102 (2006)
  2. P. Weinmann, C. Zimmermann, T.W. Schlereth, C. Schneider, S. Hoefling, M. Kamp, A. Forchel. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 15, 3 (2009)
  3. N. Singh, R.M. Mehra, A. Kapoor, T. Soga. J. Renewable Sustainable Energy, 4, 013 110 (2012)
  4. C.M. Chou, H.T. Cho, V. K. Hsiao, K.T. Yong, W.C. Law. Nanoscale Res. Lett., 7, 291 (2012)
  5. S. Michaels, A. Pawlis, C. Arens, M. Panfilova, A. Zrenner, D. Schikora, K. Lischka. Microelectronics J., 40, 215 (2009)
  6. D.Y. Protasov, W. B. Jian, K.A. Svit, T.A. Duda, S.A. Teys, A.S. Kozhuhov, L.L. Sveshnikova, K.S. Zhuravlev. J. Phys. Chem. C, 115, 41 (2011)
  7. M.V. Artemyev, A.I. Bibik, L.I. Gurinovich, S.V. Gaponenko, H. Jaschinski, U. Woggon. Phys. Status Solidi B, 224, 393, (2001)
  8. Y.C. Ou, S.F. Chang, W.B. Jian. Nanotechnology, 20, 285 401 (2009)
  9. B. Marsen, M. Lonfat, P. Scheier, K. Sattler. Phys. Rev. B, 62, 6892 (2000)
  10. O. Millo, D. Katz, Y.W. Cao, U. Banin. Phys. Rev. B, 61, 16 733 (2000)
  11. S. Ogawa, F.F. Fan, A.J. Bard. J. Phys. Chem., 99, 11 182 (1995)
  12. I. Kazuto, T. Kenshi et al. J. Vac. Sci. Technol. B., 10, 5 (1992)
  13. R. Stomp, Y. Miyahara, S. Schaer, Q. Sun, H. Guo, P. Grutter. Phys. Rev. Lett., 94, 056 802 (2005)
  14. C.H. Cho, B.H. Kim, S. Park. Appl. Phys. Lett., 89, 013 116 (2006)
  15. Y.M. Niquet, C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo. Phys. Rev. B, 65, 165 334 (2002)
  16. E.P.A.M. Bakkers, Z. Hens, A. Zunger, A. Franceschetti, L.P. Kouwenhoven, L. Gurevich, D. Vanmaekelbergh. Nano Lett., 1, 551 (2001)
  17. M.R. Hummon, A.J. Stolenwerk, V. Narayanamurti, P.O. Anikeeva, M.J. Panzer, V. Wood, V. Bulovic. Phys. Rev. B, 81, 115 439 (2010)
  18. V. Erokhin, P. Facci, S. Carrara, C. Nicolini. J. Phys. D: Appl. Phys., 28, 2534 (1995)
  19. E.A. Багаев, К.С. Журавлев, Л.Л. Свешникова, И.А. Бадмаева, С.М. Репинский, М. Воелсков. ФТП, 37, 1358 (2003)
  20. E.A. Багаев, К.С. Журавлев, Л.Л. Свешникова, Д.В. Щеглов. ФТП, 42, 718 (2008)
  21. M. Simurda, P. Nemec, J. Preclikova, F. Trojanek, T. Miyoshi, K. Kasatani, P. Maly. Thin Sol. Films, 503, 65 (2006)
  22. H. Hasegawa, N. Negoro, S. Kasai, Y. Ishikawa, H. Fujikuwa. J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 2100 (2000)
  23. L. Jdira, P. Liljeroth, E. Stoffels, D. Vanmaekelbergh, S. Speller. Phys. Rev. B, 73, 115 305 (2006)
  24. M. Braun, L. Pilon. Thin Sol. Films, 496, 505 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.