"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Новый метастабильный центр в облученном GaAs
Кольченко Т.И.1, Ломако В.М.1
1Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н.Севченко при Белорусском государственном университете,, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 13 сентября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

С помощью измерений нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней в n-GaAs, облученном электронами (E=3.5 МэВ), наблюдался неизвестный ранее центр, проявляющий сложное метастабильное поведение (C-центр). Определено, что энергия активации эмиссии центра составляет ~0.3 эВ, а эффективность введения существенно зависит от энергии бомбардирующих электронов и технологии выращивания материала. Совокупность полученных экспериментальных результатов позволила заключить, что C-центр является комплексом, включающим атом легирующей или остаточной примеси. Предполагается, что метастабильность центра обусловлена его внутренней перестройкой, контролируемой зарядовым состоянием.
  1. W.R. Bushwald, N.M. Johson, L.P. Trombetta. Appl. Phys. Lett., \bf 50, 1007 (1987)
  2. В.А. Иванюкович, В.И. Карась, В.М. Ломако. ФТП, \bf 2, 264 (1989)
  3. Hooon Young Cho, Ean Kyu Kim et al. Appl. Phys. Lett., \bf 58, 1866 (1991)
  4. Т.И. Кольченко, В.М. Ломако. ФТП, 24, 295 (1990)
  5. M. Levinson. J. Appl. Phys., 58, 2628 (1985)
  6. A. Chantre, D. Bois. Phys. Rev. B, 31, 7979 (1985)
  7. D. Pons, P.M. Mooney, J.C. Bourgoin. J. Appl. Phys., \bf 51, 2038 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.