С помощью измерений нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней в n-GaAs, облученном электронами (E=3.5 МэВ), наблюдался неизвестный ранее центр, проявляющий сложное метастабильное поведение (C-центр). Определено, что энергия активации эмиссии центра составляет ~0.3 эВ, а эффективность введения существенно зависит от энергии бомбардирующих электронов и технологии выращивания материала. Совокупность полученных экспериментальных результатов позволила заключить, что C-центр является комплексом, включающим атом легирующей или остаточной примеси. Предполагается, что метастабильность центра обусловлена его внутренней перестройкой, контролируемой зарядовым состоянием.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.