Проведены экспериментальные исследования кинетических коэффициентов (Нернста-Эттингсгаузена Q₁₂₃, электропроводности sigma₁₁, теплопроводности kappa_ii, Зеебека S₁₁, S₃₃ и Холла R₂₁₃) в образцах слоистых соединений из гомологического ряда A^IVB^VI-A^V₂B^VI₃ (A^IV-Ge, Sn, Pb; A^V-Bi, Sb; B^VI-Te), именно SnBi₄Te₇ и PbBi₄Te₇ n-типа проводимости, в интервале температур 77-400 K. Кристаллы были выращены методом Чохральского. Анализ результатов показал, что полученные данные по явлениям переноса в SnBi₄Te₇ и PbBi₄Te₇ можно описать в рамках однозонной модели энергетического спектра. Сравнение найденных параметров для стехиометрических образцов показало, что при переходе от GeBi₄Te₇ к SnBi₄Te₇ и PbBi₄Te₇ плотность электронных состояний растет и увеличивается доля рассеяния электронов на ионах примесей. Определено, что дополнительное легирование кадмием и серебром соединения PbBi₄Te₇ оказывает существенное влияние на его электронную и фононную системы, подобно тому, как легирование медью влияет на электрические и тепловые свойства соединения GeBi₄Te₇.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.