"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In2S3)x(CuIn5S8)1-x
Боднарь И.В.1, Шаталова В.В.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 6 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

На монокристаллах соединений In2S3, CuIn5S8 и твердых растворах (In2S3)x(CuIn5S8)1-x, выращенных методом Бриджмена (вертикальный вариант), проведены исследования спектров пропускания в области края фундаментальной полосы поглощения при 80 и 295 K. По полученным спектрам определена ширина запрещенной зоны указанных соединений и твердых растворов на их основе, а также построены ее концентрационные зависимости. Показано, что ширина запрещенной зоны с параметром состава x при 80 и 295 K изменяется нелинейно и описывается квадратичной зависимостью.
  1. Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая, Е.В. Скуднова, С.Н. Чижевская. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе (М., Наука, 1975)
  2. Ф.Г. Донника, С.И. Радауцан, С.А. Семилетов, И.Г. Мустя. Кристаллические структуры неорганических соединений (Кишинев, Штиинца, 1974)
  3. C. Paorici, L. Zanotti, L. Gastaldi. Mater. Res. Bull., 14, 469 (1979)
  4. L. Gastaldi, L. Scaramuzza. Acta Crystallogr., 36B, 2751 (1980)
  5. К. Чопра. Тонкопленочные солнечные элементы (М., Мир, 1986)
  6. S. Sebentritt. Solar Energy, 77, 767 (2004)
  7. B. Asenjo. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 480--481, 151 (2005)
  8. T. Schulmeyer, A. Klein, R. Kniese, M. Powalla. Appl. Phys. Lett., 85, 961 (2004)
  9. S. Sterner, J. Malmstrom, L. Stolt. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 13, 179 (2005)
  10. T.T. John, S. Bini, Y. Kashiwaba, T. Abe, Y. Yasuhiro, C.S. Kartha, K.P. Vijayakuma. Semicond. Sci. Technol., 18, 491 (2003)
  11. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  12. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой, В.Б. Лазарева (М., Наука, 1979)
  13. S.H. Choe, T.H. Bang, N.O. Kim, H.G. Kim, C.I. Lee, M.S. Jin, S.K. Oh, W.T. Kim. Semicond. Sci. Technol., 16, 98 (2001)
  14. E. Dalas, L. Kobotiatis. J. Mater. Sci., 28, 6595 (1993)
  15. A. Usujama, S. Takeuchi, S. Endo, T. Irie. J. Appl. Phys., 20, L505 (1981)
  16. C. Paorici, L. Zanotti. Mater. Res. Bull., 14, 469 (1979)
  17. И.В. Боднарь. ЖНХ, 47, 1947 (2002)
  18. M. Sugiyama, N. Mitani, K. Yoshino, T. Ikari, H. Nakanishi, S.F. Chichibu. Jpn. J. Appl. Phys., 39S, 96 (2000)
  19. И.В. Боднарь, В.А. Иванов, В.А. Гайсин, Б.С. Кулинкин. Опт. и спектр., 82, 430 (1997).
  20. J.A. Van Vechten, T.K. Bergstresser. Phys. Rev. B, 1, 3351 (1970)
  21. R. Hill. J. Phys. C, 7, 521 (1974).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.