Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.
11.413.57pt 28 января 2011 ушёл из жизни замечательный ученый, доктор физ.-мат. наук Юрий Аронович Гольдберг, ведущий научный сотрудник Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН. Юрий Аронович окончил Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) и в 1963 г. поступил на работу в лабораторию Д. Н. Наследова в ФТИ. В мировой науке Юрий Аронович приобрел известность своими трудами в области физики контактов металл-полупроводник. Считалось, что барьерный (выпрямляющий) контакт становится омическим при образовании сильно легированного рекристаллизованного слоя полупроводника на границе с металлом. При этом потенциальный барьер в этом слое становится туннельно-прозрачным. Однако Юрий Аронович вместе с Б. В. Царенковым и Е. А. Поссе экспериментально показали, что омический контакт возникает при соприкосновении полупроводника с жидким металлом еще до возникновения рекристаллизованного слоя полупроводника. Было установлено, что омический контакт образуется за счет появления проводящих шунтов при осаждении атомов жидкого металла на ядрах краевых дислокаций. [!t] Другой научный результат, также принесший известность Юрию Ароновичу, состоит в установлении аномально быстрого механизма приповерхностной рекомбинации фотоносителей, возникающих при воздействии на поверхность ультрафиолетовым излучением. Юрий Аронович вместе с Т. В. Бланк обратили внимание на то, что электрон и дырка, генерируемые излучением далекой ультрафиолетовой области, летят в одну сторону. Они образуют экситон с большой энергией связи (~100 мэВ), который не разваливается, а улетает в квазинейтральную толщу, где и рекомбинирует. В этом и состоит механизм катастрофического падения фототока в далекой ультрафиолетовой спектральной области в полупроводниках типа арсенида галлия. Юрий Аронович был человеком столь высоких этических норм, такого глубокого понимания жизни, что мог двумя-тремя фразами, а иногда одной лишь интонацией преобразить взгляды собеседника. Невозможно забыть его обаятельный оптимизм, интеллигентность и жизнелюбие. От нас ушел глубоко образованный, смелый, неординарно мыслящий человек, оказавший огромное влияние на своих коллег и учеников, яркий ученый. Светлая ему память. О. В. Константинов, А. М. Самсонов Коллеги и друзья Редколлегия журнала "Физика и техника полупроводников"
- Е.А. Татохин, А.В. Каданцев, А.Е. Бормонтов, В.Г. Задорожний. ФТП. 44, 1031 (2010)
- D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
- Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
- Е.А. Татохин, А.В. Каданцев, А.Е. Бормонтов, В.Г. Задорожний. Вестник Воронежского государственного технического университета, 5, 40 (2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.