"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Памяти Юрия Ароновича Гольдберга (1939-2011)
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.
11.413.57pt 28 января 2011 ушёл из жизни замечательный ученый, доктор физ.-мат. наук Юрий Аронович Гольдберг, ведущий научный сотрудник Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН. Юрий Аронович окончил Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) и в 1963 г. поступил на работу в лабораторию Д. Н. Наследова в ФТИ. В мировой науке Юрий Аронович приобрел известность своими трудами в области физики контактов металл-полупроводник. Считалось, что барьерный (выпрямляющий) контакт становится омическим при образовании сильно легированного рекристаллизованного слоя полупроводника на границе с металлом. При этом потенциальный барьер в этом слое становится туннельно-прозрачным. Однако Юрий Аронович вместе с Б. В. Царенковым и Е. А. Поссе экспериментально показали, что омический контакт возникает при соприкосновении полупроводника с жидким металлом еще до возникновения рекристаллизованного слоя полупроводника. Было установлено, что омический контакт образуется за счет появления проводящих шунтов при осаждении атомов жидкого металла на ядрах краевых дислокаций. [!t] Другой научный результат, также принесший известность Юрию Ароновичу, состоит в установлении аномально быстрого механизма приповерхностной рекомбинации фотоносителей, возникающих при воздействии на поверхность ультрафиолетовым излучением. Юрий Аронович вместе с Т. В. Бланк обратили внимание на то, что электрон и дырка, генерируемые излучением далекой ультрафиолетовой области, летят в одну сторону. Они образуют экситон с большой энергией связи (~100 мэВ), который не разваливается, а улетает в квазинейтральную толщу, где и рекомбинирует. В этом и состоит механизм катастрофического падения фототока в далекой ультрафиолетовой спектральной области в полупроводниках типа арсенида галлия. Юрий Аронович был человеком столь высоких этических норм, такого глубокого понимания жизни, что мог двумя-тремя фразами, а иногда одной лишь интонацией преобразить взгляды собеседника. Невозможно забыть его обаятельный оптимизм, интеллигентность и жизнелюбие. От нас ушел глубоко образованный, смелый, неординарно мыслящий человек, оказавший огромное влияние на своих коллег и учеников, яркий ученый. Светлая ему память. О. В. Константинов, А. М. Самсонов Коллеги и друзья Редколлегия журнала "Физика и техника полупроводников"
  1. Е.А. Татохин, А.В. Каданцев, А.Е. Бормонтов, В.Г. Задорожний. ФТП. 44, 1031 (2010)
  2. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  3. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
  4. Е.А. Татохин, А.В. Каданцев, А.Е. Бормонтов, В.Г. Задорожний. Вестник Воронежского государственного технического университета, 5, 40 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.