"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электронные состояния на поверхности кремния после напыления и отжига пленки SiOx
Власенко Н.А.1, Олексенко П.Ф.1, Денисова З.Л.1, Сопинский Н.В.1, Велигура Л.И.1, Гуле Е.Г.1, Литвин О.С.1, Мухльо М.А.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 21 сентября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

С целью выяснения диаграммы энергетических зон на границе c-Si-SiOx и изменения электронных состояний после отжига пленки исследован спектр фотопроводимости, возникающей в поляризационном поле заряда на поверхностных состояниях и ловушках в объеме пленки. Установлено, что на интерфейсе Si-SiOx энергетические зоны искривлены, причем поверхность Si обогащена электронами. В равновесном состоянии максимум фототока при 1.1 эВ обусловлен зона-зонными переходами в кремниевой части интерфейса. Отжиг вызывает смещение максимума к большим энергиям, увеличивающееся при повышении температуры отжига от 650 до 1000oC. Это сопровождается уменьшением фототока при =<q1.1 эВ и ослаблением краевой фотолюминесценции вблизи поверхности Si. Обнаруженные изменения объяснены образованием при отжиге на границе Si-SiOx слоя окисла с нанокластерами Si в результате диффузии кислорода из пленки SiOx, проходящей преимущественно по дефектам на поверхности пластины Si. В спектре фотопроводимости образцов, заряженных путем кратковременного приложения напряжения с полярностью "минус" на Si, выявлены электронные переходы в пленке SiOx, происходящие как в самой матрице, так и с участием дефектов и нанокластеров Si, имеющихся в ней.
  • V.Yu. Timoshenko, A.B. Petrenko, Th. Dittrich, W. Fussel, J. Rappich. Thin Sol. Films, 364, 196 (2000)
  • J. Zhao, A. Wang, P. Altermatt, M.A. Green. Appl. Phys. Lett., 66 (26), 3636 (1995)
  • Н.А. Власенко, Н.В. Сопинский, Е.Г. Гуле, Л.И. Велигура, В.Я. Братусь, Р.С. Мельник, З.Л. Денисова, М.А. Мухльо. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 2010) вып. 45, с. 76-82
  • N.A. Vlasenko, A.I. Beletskii, Z.L. Denisova, Ya.F. Kononets, L.I. Veligura. Proc. SPIE, 3359, 512 (1998)
  • N.A. Vlasenko, P.F. Oleksenko, Z.L. Denisova, M.O. Mukhlyo, L.I. Veligura. Phys. Status Solidi B, 245 (11), 2550 (2008)
  • Н.А. Власенко, П.Ф. Олексенко, З.Л. Денисова, Л.И. Велигура, М.А. Мухльо. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 43, 98 (2008)
  • U. Kahler, H. Hofmeister. Appl. Phys., 74 (1), 13 (2002)
  • M. Sopinskyy, V. Khomchenko. Curr. Opin. Solid State Mater. Sci., 7 (2), 97 (2003)
  • А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO-=SUB=-2-=/SUB=- на кремнии (Л., Изд-во ЛГУ, 1988) с. 304
  • Y. Maehara, T. Goto, K. Tsutsumi, K. Ogawa, T. Komiyama, T. Senga, T. Kasahara. US Patent Application No. 20090057659 (05.03.2009)
  • P.S. Das, G.K. Dilapati, D.Z. Chi, A. Biswas, C.K. Maiti. Appl. Surf. Sci., 256, 2245 (2010)
  • Г.П. Пека. Физические явления на поверхности полупроводников (Киев, Выща шк., 1984) гл. 6, с. 92
  • N.A. Hill, K.B. Whaley. J. Electron. Mater., 25 (2), 269 (1996)
  • L. Pavesi. J. Phys.: Condens. Matter, 15, R1169 (2003)
  • J. Heitmann, F. Muller, M. Zacharias, U. Gosele. Adv. Mater., 17 (7), 795 (2005)
  • V.A. Belyakov, V.A. Burdov, R. Lockwood, A. Meldrum. Adv. Opt. Technol., 2008, Article ID 279502, 32 pages (2008)
  • L. Khomenkova, N. Korsunska, M. Sheinkman, T. Stara. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron, 10 (4), 21 (2007).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.