Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Зарядовая спектроскопия слоев SiO₂ с нанокристаллами кремния, модифицированных ионами высоких энергий

Антонова И.В.¹, Смагулова С.А.², Неустроев Е.П.², Скуратов В.А.³, Jedrzejewski J.⁴, Savir E.⁴, Balberg I.⁴

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Северо-Восточный государственный университет, Якутск, Россия
³Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия Joint Institute for Nuclear Research, Dubna, Russia

Joint Institute for Nuclear Research, Dubna, Russia

⁴The Racah Institute of Physics, The Hebrew University, Jerusalem, Israel

Поступила в редакцию: 1 ноября 2010 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Использован метод зарядовой спектроскопии (Q-DLTS) для исследования и сравнения процесса выброса носителей с нанокристаллов кремния, упорядоченно или случайным образом расположенных в матрице SiO₂, и показано, что во всех случаях он является термически активируемым процессом. В работе определены величины энергетических барьеров, характеризующих процессы выброса носителей с уровней нанокристаллов в слоях NCs : SiO₂, до (случайное распределение) и после их модификации облучением ионами высоких энергий (упорядоченное распределение нанокристаллов). Получено, что энергии активации выброса носителей с нанокристаллов и размер нанокристаллов, оцененный из разницы между энергиями двух уровней, наблюдаемых методом Q-DLTS, уменьшается с увеличением флюенса ионов. Плотность нанокристаллов, наблюдаемых методом Q-DLTS, примерно на порядок уменьшается при облучении флюенсом 10¹²-10¹³ см^-2 по сравнению с исходными необлученными структурами за счет формирования в треках проводящих цепочек из нанокристаллов.

D. Fink, L.T. Chadderton, K. Hoppe, W.R. Fahrner, A. Chandra, A. Kiv. Nucl. Instrum. Meth. B, 261, 727 (2007)
G. Rizza, E.A. Dawi, A.M. Vredenberg, I. Monnet. Appl. Phys. Lett., 95, 043 105 (2009)
C. D'Orleans, J.P. Stoquert, C. Estournes, C. Cerruti, J.J. Grob, J.L. Guille, F. Haas, D. Muller, M. Richard-Plouet. Phys. Rev. B, 67, 20 101 (2003)
S. Klaumunzer. Nucl. Instrum. Meth. B, 244, 1 (2006)
P.S. Chaughari, T.M. Bhave, R. Pasricha, F. Singh, D. Kanjilal, S.V. Bhoraskar. Nucl. Instrum. Meth. B, 239, 185 (2005)
W.M. Arnoldbic, N. Tomozeiu, E.D. van Hattum, R.W. Lof, A.M. Vredenberg, F.H.P.M. Habraken. Phys. Rev. B, 71, 125 329 (2005)
P.S. Chaughari, T.M. Bhave, D. Kanjilal, S.V. Bhoraskar. J. Appl. Phys., 93, 3486 (2003)
И.В. Антонова, В.А. Скуратов, J. Jedrzejewski, I. Balberg. ФТП, 44 ( 4), 501 (2010)
I.V. Antonova, M.B. Gulyaev, V.A. Volodin, A.G. Cherkov, D.V. Marin, V.A. Skuratov, J. Jedrzejewski, I. Balberg. Nanotechnology, 20, 095 205 (2009)
I.V. Antonova, A.G. Cherkov, V.A. Skuratov, M.S. Kagan, J. Jedrzejewski, I. Balberg. Nanotechnology, 20, 185 401 (2009)
I.V. Antonova, D.V. Marin, V.A. Volodin, V.A. Skuratov, J. Jedrzejewski, I. Balberg. Sol. St. Phenomena, 156--158, 523 (2009)
I.V. Antonova, E.P. Neustroev, S.A. Smagulova, J. Jedrzejewski, I. Balberg. J. Appl. Phys., 106, 064 306 (2009)
A. Sa'ar, Y. Reichman, M. Dovrat, D. Krapf, J. Jedrzejewski, I. Balberg. Nano Lett., 5, 2443 (2005)
И.В. Антонова, С.С. Шаймеев, С.А. Смагулова. ФТП, 40, 557 (2006)
A. Meftah. Phys. Rev. Lett., 48, 920 (1993)
A.S. Moskalenko, J. Beracdar, A.A. Procofiev, I.N. Yassievich. Phys. Rev. B, 76, 085 427 (2007)
S. Godefroo, M. Hayne, M. Jivanescu, A. Stesmans, M. Zacharias, O.I. Lebedev, G. Van Tendeloo, V.V. Moshchalkov. Nature Nanotechnology, 3, 174 (2008)
G. Rizza, Y. Ramjauni, T. Gacoin, L. Vieille, S. Henry. Phys. Rev. B, 76, 245 414 (2007)
G. Rizza, H. Chevery, T. Gacoin, A. Lamasson, S. Henry. J. Appl. Phys., 101, 014 321 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель