Вышедшие номера
Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов
Бер Б.Я.1, Богданова Е.В.1, Грешнов А.А.1, Закгейм А.Л.1, Казанцев Д.Ю.1, Карташова А.П.1, Павлюченко А.С.1, Черняков А.Е.1, Шабунина Е.И.1, Шмидт Н.М.1, Якимов Е.Б.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 7 сентября 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Проведены комплексные исследования синих светодиодов на основе квантово-размерных InGaN/GaN-структур с внешней квантовой эффективностью eta до 40%. Показано, что в общем случае характер зависимости эффективности от плотности тока j определяется конкуренцией вкладов в излучательную рекомбинацию локализованных и делокализованных носителей. Причем вклад последних возрастает по мере ухудшения характера организации наноматериала, повышения температуры и тока накачки, а также с уменьшением ширины обедненного слоя активной области (при нулевом смещении). Наиболее резкое падение эффективности относительно максимума (до 2 раз при j~50 А/см2) наблюдалось при сильном легировании n+-области (до 1019 см-3) и при возникновении компенсированных слоев в активной или p+-области. При j>50 А/см2 доминирует вклад делокализованных носителей и наблюдается единообразный характер зависимостей эффективности от тока, аппроксимируемый eta(j) propto j-b, где 0.2<b<0.3.