Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2010, выпуск 6 » Статья стр. 807
<<<>>>
Высокотемпературный радиационно стойкий выпрямитель на основе p+-n-переходов в 4H-SiC, ионно-легированном алюминием
Калинина Е.В.1, Коссов В.Г.2, Яфаев Р.Р.2, Стрельчук А.М.1, Виолина Г.Н.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ОАО Электрон Оптроник, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 октября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.
PDF версия
Сочетание высокодозовой (5· 1016 см-2) имплантации ионов Al в эпитаксиальные слои 4H-SiC n-типа, выращенные методом химического осаждения из газовой фазы, и быстрого (15 с) термического отжига при 1700-1750oC формирует слои с прямоугольным профилем примеси по механизму твердофазной эпитаксиальной кристаллизации. Совместное действие эффектов ускоренной диффузии радиационных дефектов при имплантации и геттерирования дефектов при отжиге приводит к улучшению качества исходного материала, что обеспечивает увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в несколько раз. В SiC при воздействии различных видов радиации образуются метастабильные состояния, отжигаемые в различных температурных интервалах. Низкотемпературный отжиг радиационных дефектов увеличивает радиационный и временной ресурс приборов при облучении. Высокотемпературный отжиг радиационных дефектов позволяет изменять время жизни неравновесных носителей заряда, т. е. частотный диапазон приборов. Радиационная стойкость SiC-приборов увеличивается с ростом рабочей температуры до 500oC.
  1. Е.В. Калинина. ФТП, 41, 769 (2007)
  2. L.W. Aukerman, H.C. Gorton, R.K. Willardson, V.E. Bryson. Silicon Carbide, ed. by J.R. O'Connor, J. Smiltens (Pergamon, Oxford, 1959)
  3. Е.Н. Мохов, М.М. Усманова, Г.Ф. Юлдашев, Б.С. Махмудов. Неорг. матер., 20, 1383 (1984)
  4. Е.Н. Мохов, Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина. В сб.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (Л., Изд-во ЛИЯФ, 1979) с. 136
  5. A. Syrkin, V. Dmitriev, R. Yakimova, A. Henry, E. Janzen. Mater. Sci. Forum, 389--393, 1173 (2002)
  6. O. Kordina, J.P. Bergman, A. Henry, E. Janzen, S. Savage, J. Andre, L.P. Ramberg, U. Lindefelt, W. Hermansson, K. Bergman. Appl. Phys. Lett., 67, 1561 (1995)
  7. P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, K.G. Irvine, O. Kordina, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. Electron. Lett., 35, 1382 (1999)
  8. W. Shockley. U.S. Patent N 2787564 (1957)
  9. Г.А. Ломакина, Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 12, 2918 (1970)
  10. В.М. Гусев, К.Д. Демаков, М.Г. Касаганова, М.Б. Рейфман, В.Г. Столярова. ФТП, 9, 1238 (1975)
  11. J.A. Edmond, K. Das, R.F. Davis. J. Appl. Phys., 3, 922 (1988)
  12. Y. Negoro, N. Miyamoto, T. Kimoto, M. Matsunami. Mater. Sci. Forum, 389--393, 1273 (2002)
  13. D. Peters, R. Elpelt, R. Schorner, K.O. Dohke, P. Friedrichs, D. Stephani. Mater. Sci. Forum, 483--485, 977 (2005)
  14. W. Anwand, G. Brauer, P.G. Coleman, R. Yankov, W. Skorupa. Appl. Surf. Sci., 149, 140 (1999)
  15. J. Slotte, K. Saarinen, M.S. Janson, A. Hallen, A.Yu. Kuznetsov, B.G. Svensson, J. Wong-Leung, C. Jagadish. J. Appl. Phys., 97, 033 513 (2005)
  16. M. Oberndorfer, M. Krieger, F. Schmid, H.B. Weber, G. Pensl, A. Schoner. Mater. Sci. Forum, 556--557, 343 (2007)
  17. M.V. Rao, J. Gardner, P. Griffiths, O.W. Holland, G. Kelner, P.H. Chi, D.S. Simons. Nucl. Instrum. Meth. B, 106, 333 (1995)
  18. J.M. Bluet, J. Pernot, J. Camassel, S. Contreras, J.L. Robert, J.F. Michaud, T. Billon. J. Appl. Phys., 88, 1971 (2000)
  19. R. Nipoti, F. Bergmini, F. Moscatelli, A. Poggi, M. Canino, G. Bertuccio. Mater. Sci. Forum, 527--529, 815 (2006)
  20. Е.В. Калинина, Н.К. Прокофьева, А.В. Суворов, Г.Ф. Холуянов, В.Е. Челноков. ФТП, 12, 2305 (1978)
  21. Е.В. Калинина, А.В. Суворов, Г.Ф. Холуянов. ФТП, 14, 1099 (1980)
  22. Ю.А. Водаков, К.Д. Демаков, Е.В. Калинина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, Г.Ф. Холуянов. ФТП, 21, 1685 (1987)
  23. C.E. Barnes. Appl. Phys. Lett., 20, 86 (1972)
  24. И.В. Рыжиков, И.Л. Касаткин, Е.Ф. Уваров. Электрон. техн., сер. 2, 4, 9 (1981)
  25. В.В. Евстропов, А.М. Стрельчук. ФТП, 30, 92 (1996)
  26. А.Ю. Никифоров, А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, В.В. Лучинин, А.А. Петров. В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость 2001" (М., Изд-во Паимс, 2001) вып. 4, с. 145
  27. А.Ю. Никифоров, П.А. Иванов, В.В. Лучинин. В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость 2002" (М., Изд-во Паимс, 2002) вып. 5, с. 5
  28. A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava. Appl. Phys. Lett., 85, 3780 (2004)
  29. Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, Н.С. Савкина, А.А. Лебедев, В.В. Козловский, M. Syvajarvi, R. Yakimova. ФТП, 38, 841 (2004)
  30. F. Nava, F.E. Vittone, P. Vanni, G. Verzellesi, P.G. Fuochi, C. Lanzieri, M. Glaser. Nucl. Instrum. Meth. A, 505, 645 (2003)
  31. А.М. Иванов, А.А. Лебедев, Н.Б. Строкан. ФТП, 40, 1259 (2006)
  32. S. Sciortino, F. Hartjes, S. Lagomarsino, F. Nava, M. Brianzi, V. Cindro, C. Lanzieri, M. Moll, P. Vanni. Nucl. Instrum. Meth. A, 552, 138 (2005)
  33. А.И. Гирка, А.Ю. Дидык, А.Д. Мокрушин, Е.Н. Мохов. Письма ЖТФ, 15, 24 (1999)
  34. L. Liszkay, K. Havancsak, M.-F. Barthe, P. Desgardin, L. Henry, Zs. Kajcsos, G. Battistig, E. Szilagyi, V.A. Skuratov. Mater. Sci. Forum, 363, 123 (2001)
  35. Е.В. Калинина, В.А. Скуратов, А.А. Ситникова, А.А. Колесникова, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов. ФТП, 41, 392 (2007)
  36. G.K. Reeves. Sol. St. Electron., 23, 487 (1980)
  37. Е.В. Калинина, Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Ситникова, А. Садохин, А. Азаров, В.Г. Коссов, Р.Р. Яфаев. ФТП, 42 (1), 87 (2008)
  38. О.В. Александров, Е.В. Калинина. ФТП, 43 (5), 584 (2009)
  39. E. Kalinina, G. Kholujanov, A. Sitnikova, V. Kossov, R. Yafaev, G. Pensl, S. Reshanov, A. Hallen, A. Konstantinov. Mater. Sci. Forum, 433--436, 637 (2003)
  40. E. Kalinina, G. Kholujanov, A. Zubrilov, N. Kuznetsov, I. Nikitina, A. Tregubova, M. Shcheglov, V. Bratus'. J. Appl. Phys., 90, 5402 (2001)
  41. E. Kalinina, V. Kossov, A. Shchukarev, V. Bratus', G. Pensl, S. Rendakova, V. Dmitriev, A. Hallen. Mater. Sci. Eng. B, 80, 337 (2001)
  42. E. Kalinina, G. Kholujanov, V. Solov'ev, A. Strel'chuk, V. Kossov, R. Yafaev, A. Kovarski, A. Shchukarev, S. Obyden, G. Saparin, P. Ivannikov, A. Hallen, A. Konstantinov. Appl. Surf. Sci., 184, 323 (2001)
  43. E.V. Kolesnikova, E.V. Kalinina, A.A. Sitnikova, M.V. Zamoryanskaya, T.B. Popova. Sol. St. Phenomena, 131--133, 53 (2008)
  44. E. Kalinina, G. Kholujanov, V. Solov'ev, A. Strel'chuk, A. Zubrilov. Appl. Phys. Lett., 77, 3051 (2000)
  45. А.М. Стрельчук. ФТП, 29, 1190 (1995)
  46. F. Moscatelli, A. Scorzoni, A. Poggi, G.C. Cardinali, R. Nipoti. Mater. Sci. Forum, 433--436, 673 (2003)
  47. E. Kalinina, G. Onushkin, A. Strel'chuk, D. Davidov, V. Kossov, R. Yafaev, A. Hallen, A. Kuznetsov, A. Konstantinov. Physica Scripta, 101, 207 (2002)
  48. L. Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev. B, 5, 3253 (1972).
  49. Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Г.А. Онушкин, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, А.О. Константинов, A. Hallen, А.Ю. Никифоров, В.А. Скуратов, K. Havancsak. ФТП, 38, 1223 (2004)
  50. Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, A. Hallen, А.О. Константинов, В.В. Лучинин, А.Ю. Никифоров. ФТП, 37, 1260 (2003)
  51. А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, А.А. Петров. Петербургский журн. электроники, 3--4, 12 (2000)
  52. A.M. Strel'chuk, E.V. Kalinina, A.O. Konstantinov, A. Hallen. Mater. Sci. Forum, 483--485, 993 (2005)
  53. A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, M.G. Rastegaeva, A.N. Andreev. Mater. Sci. Eng., 61--62, 441 (1999)
  54. A.Y. Nikiforov, P.K. Skorobogatov. D.V. Boychenko, V.S. Figurov, V.V. Luchinin, E.V. Kalinina. Proc. RADECS 2003 (Noordwijk, The Netherlands, 2003) p. 15
  55. E. Kalinina, A. Strel'chuk, A. Lebedev, N. Strokan, A. Ivanov, G. Kholuyanov. Mater. Sci. Forum, 527--529, 473 (2006).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme