Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Высокотемпературный радиационно стойкий выпрямитель на основе p+-n-переходов в 4H-SiC, ионно-легированном алюминием
Калинина Е.В.1, Коссов В.Г.2, Яфаев Р.Р.2, Стрельчук А.М.1, Виолина Г.Н.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2ОАО Электрон Оптроник, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2ОАО Электрон Оптроник, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 октября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.
Сочетание высокодозовой (5· 1016 см-2) имплантации ионов Al в эпитаксиальные слои 4H-SiC n-типа, выращенные методом химического осаждения из газовой фазы, и быстрого (15 с) термического отжига при 1700-1750oC формирует слои с прямоугольным профилем примеси по механизму твердофазной эпитаксиальной кристаллизации. Совместное действие эффектов ускоренной диффузии радиационных дефектов при имплантации и геттерирования дефектов при отжиге приводит к улучшению качества исходного материала, что обеспечивает увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в несколько раз. В SiC при воздействии различных видов радиации образуются метастабильные состояния, отжигаемые в различных температурных интервалах. Низкотемпературный отжиг радиационных дефектов увеличивает радиационный и временной ресурс приборов при облучении. Высокотемпературный отжиг радиационных дефектов позволяет изменять время жизни неравновесных носителей заряда, т. е. частотный диапазон приборов. Радиационная стойкость SiC-приборов увеличивается с ростом рабочей температуры до 500oC.
- Е.В. Калинина. ФТП, 41, 769 (2007)
- L.W. Aukerman, H.C. Gorton, R.K. Willardson, V.E. Bryson. Silicon Carbide, ed. by J.R. O'Connor, J. Smiltens (Pergamon, Oxford, 1959)
- Е.Н. Мохов, М.М. Усманова, Г.Ф. Юлдашев, Б.С. Махмудов. Неорг. матер., 20, 1383 (1984)
- Е.Н. Мохов, Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина. В сб.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (Л., Изд-во ЛИЯФ, 1979) с. 136
- A. Syrkin, V. Dmitriev, R. Yakimova, A. Henry, E. Janzen. Mater. Sci. Forum, 389--393, 1173 (2002)
- O. Kordina, J.P. Bergman, A. Henry, E. Janzen, S. Savage, J. Andre, L.P. Ramberg, U. Lindefelt, W. Hermansson, K. Bergman. Appl. Phys. Lett., 67, 1561 (1995)
- P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, K.G. Irvine, O. Kordina, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. Electron. Lett., 35, 1382 (1999)
- W. Shockley. U.S. Patent N 2787564 (1957)
- Г.А. Ломакина, Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 12, 2918 (1970)
- В.М. Гусев, К.Д. Демаков, М.Г. Касаганова, М.Б. Рейфман, В.Г. Столярова. ФТП, 9, 1238 (1975)
- J.A. Edmond, K. Das, R.F. Davis. J. Appl. Phys., 3, 922 (1988)
- Y. Negoro, N. Miyamoto, T. Kimoto, M. Matsunami. Mater. Sci. Forum, 389--393, 1273 (2002)
- D. Peters, R. Elpelt, R. Schorner, K.O. Dohke, P. Friedrichs, D. Stephani. Mater. Sci. Forum, 483--485, 977 (2005)
- W. Anwand, G. Brauer, P.G. Coleman, R. Yankov, W. Skorupa. Appl. Surf. Sci., 149, 140 (1999)
- J. Slotte, K. Saarinen, M.S. Janson, A. Hallen, A.Yu. Kuznetsov, B.G. Svensson, J. Wong-Leung, C. Jagadish. J. Appl. Phys., 97, 033 513 (2005)
- M. Oberndorfer, M. Krieger, F. Schmid, H.B. Weber, G. Pensl, A. Schoner. Mater. Sci. Forum, 556--557, 343 (2007)
- M.V. Rao, J. Gardner, P. Griffiths, O.W. Holland, G. Kelner, P.H. Chi, D.S. Simons. Nucl. Instrum. Meth. B, 106, 333 (1995)
- J.M. Bluet, J. Pernot, J. Camassel, S. Contreras, J.L. Robert, J.F. Michaud, T. Billon. J. Appl. Phys., 88, 1971 (2000)
- R. Nipoti, F. Bergmini, F. Moscatelli, A. Poggi, M. Canino, G. Bertuccio. Mater. Sci. Forum, 527--529, 815 (2006)
- Е.В. Калинина, Н.К. Прокофьева, А.В. Суворов, Г.Ф. Холуянов, В.Е. Челноков. ФТП, 12, 2305 (1978)
- Е.В. Калинина, А.В. Суворов, Г.Ф. Холуянов. ФТП, 14, 1099 (1980)
- Ю.А. Водаков, К.Д. Демаков, Е.В. Калинина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, Г.Ф. Холуянов. ФТП, 21, 1685 (1987)
- C.E. Barnes. Appl. Phys. Lett., 20, 86 (1972)
- И.В. Рыжиков, И.Л. Касаткин, Е.Ф. Уваров. Электрон. техн., сер. 2, 4, 9 (1981)
- В.В. Евстропов, А.М. Стрельчук. ФТП, 30, 92 (1996)
- А.Ю. Никифоров, А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, В.В. Лучинин, А.А. Петров. В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость 2001" (М., Изд-во Паимс, 2001) вып. 4, с. 145
- А.Ю. Никифоров, П.А. Иванов, В.В. Лучинин. В сб.: Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость 2002" (М., Изд-во Паимс, 2002) вып. 5, с. 5
- A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava. Appl. Phys. Lett., 85, 3780 (2004)
- Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, Н.С. Савкина, А.А. Лебедев, В.В. Козловский, M. Syvajarvi, R. Yakimova. ФТП, 38, 841 (2004)
- F. Nava, F.E. Vittone, P. Vanni, G. Verzellesi, P.G. Fuochi, C. Lanzieri, M. Glaser. Nucl. Instrum. Meth. A, 505, 645 (2003)
- А.М. Иванов, А.А. Лебедев, Н.Б. Строкан. ФТП, 40, 1259 (2006)
- S. Sciortino, F. Hartjes, S. Lagomarsino, F. Nava, M. Brianzi, V. Cindro, C. Lanzieri, M. Moll, P. Vanni. Nucl. Instrum. Meth. A, 552, 138 (2005)
- А.И. Гирка, А.Ю. Дидык, А.Д. Мокрушин, Е.Н. Мохов. Письма ЖТФ, 15, 24 (1999)
- L. Liszkay, K. Havancsak, M.-F. Barthe, P. Desgardin, L. Henry, Zs. Kajcsos, G. Battistig, E. Szilagyi, V.A. Skuratov. Mater. Sci. Forum, 363, 123 (2001)
- Е.В. Калинина, В.А. Скуратов, А.А. Ситникова, А.А. Колесникова, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов. ФТП, 41, 392 (2007)
- G.K. Reeves. Sol. St. Electron., 23, 487 (1980)
- Е.В. Калинина, Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Ситникова, А. Садохин, А. Азаров, В.Г. Коссов, Р.Р. Яфаев. ФТП, 42 (1), 87 (2008)
- О.В. Александров, Е.В. Калинина. ФТП, 43 (5), 584 (2009)
- E. Kalinina, G. Kholujanov, A. Sitnikova, V. Kossov, R. Yafaev, G. Pensl, S. Reshanov, A. Hallen, A. Konstantinov. Mater. Sci. Forum, 433--436, 637 (2003)
- E. Kalinina, G. Kholujanov, A. Zubrilov, N. Kuznetsov, I. Nikitina, A. Tregubova, M. Shcheglov, V. Bratus'. J. Appl. Phys., 90, 5402 (2001)
- E. Kalinina, V. Kossov, A. Shchukarev, V. Bratus', G. Pensl, S. Rendakova, V. Dmitriev, A. Hallen. Mater. Sci. Eng. B, 80, 337 (2001)
- E. Kalinina, G. Kholujanov, V. Solov'ev, A. Strel'chuk, V. Kossov, R. Yafaev, A. Kovarski, A. Shchukarev, S. Obyden, G. Saparin, P. Ivannikov, A. Hallen, A. Konstantinov. Appl. Surf. Sci., 184, 323 (2001)
- E.V. Kolesnikova, E.V. Kalinina, A.A. Sitnikova, M.V. Zamoryanskaya, T.B. Popova. Sol. St. Phenomena, 131--133, 53 (2008)
- E. Kalinina, G. Kholujanov, V. Solov'ev, A. Strel'chuk, A. Zubrilov. Appl. Phys. Lett., 77, 3051 (2000)
- А.М. Стрельчук. ФТП, 29, 1190 (1995)
- F. Moscatelli, A. Scorzoni, A. Poggi, G.C. Cardinali, R. Nipoti. Mater. Sci. Forum, 433--436, 673 (2003)
- E. Kalinina, G. Onushkin, A. Strel'chuk, D. Davidov, V. Kossov, R. Yafaev, A. Hallen, A. Kuznetsov, A. Konstantinov. Physica Scripta, 101, 207 (2002)
- L. Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev. B, 5, 3253 (1972).
- Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Г.А. Онушкин, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, А.О. Константинов, A. Hallen, А.Ю. Никифоров, В.А. Скуратов, K. Havancsak. ФТП, 38, 1223 (2004)
- Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, A. Hallen, А.О. Константинов, В.В. Лучинин, А.Ю. Никифоров. ФТП, 37, 1260 (2003)
- А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, А.А. Петров. Петербургский журн. электроники, 3--4, 12 (2000)
- A.M. Strel'chuk, E.V. Kalinina, A.O. Konstantinov, A. Hallen. Mater. Sci. Forum, 483--485, 993 (2005)
- A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, M.G. Rastegaeva, A.N. Andreev. Mater. Sci. Eng., 61--62, 441 (1999)
- A.Y. Nikiforov, P.K. Skorobogatov. D.V. Boychenko, V.S. Figurov, V.V. Luchinin, E.V. Kalinina. Proc. RADECS 2003 (Noordwijk, The Netherlands, 2003) p. 15
- E. Kalinina, A. Strel'chuk, A. Lebedev, N. Strokan, A. Ivanov, G. Kholuyanov. Mater. Sci. Forum, 527--529, 473 (2006).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
