"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Протекание тока по металлическим шунтам в омических контактах к широкозонным полупроводникам AIIIBV
Бланк Т.В.1, Гольдберг Ю.А.1, Поссе Е.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 февраля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.

Экспериментально установлено, что контакт металл-широкозонный полупроводник (GaAs, GaP, GaN) с барьером Шоттки переходит в омический контакт либо в процессе непрерывного нагревания, либо в процессе выдержки при повышенной температуре еще до образования каких-либо рекристаллизованных слоев. При этом сопротивление контакта, приведенное к единице площади, возрастает с ростом температуры для полупроводников с высокой плотностью дислокаций (GaP, GaN). Предполагается, что в таких контактах ток протекает по металлическим шунтам, закорачивающим слой объемного заряда и представляющим собой атомы металла, продиффундировавшие по линиям дислокаций или других несовершенств полупроводника. Сопротивление омического контакта, приведенное к единице площади, в полупроводниках с низкой плотностью дислокаций (GaAs) уменьшается с ростом температуры, как и ожидалось для термоэлектронного механизма протекания тока. PACS: 73.30.+y, 73.40.Cg
  1. E.H. Rhoderick. Metall--Semiconductor Contacts (Oxford, 1978)
  2. A.Y.C. Yu. Sol. St. Electron., 13, 239 (1970)
  3. F. Ren, C.B. Vartuli, S.J. Pearton, C.R. Abernathy, S.M. Donovan, J.D. MacKenzie, R.J. Shul, J.C. Zolper, M.L. Lovejoy, A.G. Baca, M. Hagerott-Crawford, K.A. Jones. J. Vac. Sci. Technol. A, 15, 802 (1997)
  4. D.W. Kim, H.K. Baik. Appl. Phys. Lett., 77, 1011 (2002)
  5. H. Shimawaki, N. Furuhata, K. Honjo. J. Appl. Phys., 69, 7939 (1991)
  6. A. Katz, S. Nakahara, W. Savin, B.E. Weir. J. Appl. Phys., 68, 4133 (1990)
  7. J.D. Guo, C.I. Lin, M.S. Feng, F.M. Pan, G.C. Chi, T.C. Lee. Appl. Phys. Lett., 68 (2), 235 (1990)
  8. J.-S. Jang, T.-Y. Seong. Appl. Phys. Lett., 76 (19), 2743 (2000)
  9. T. Clausen, O. Leistiko. Appl. Phys. Lett., 62 (10), 1108 (1993)
  10. N.P. Chen, H.J. Ueng, D.B. Janes, J.M. Woodall, M.R. Melloch. J. Appl. Phys., 88, 309 (2000)
  11. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. ФТП, 40 (10), 1204 (2006)
  12. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  13. В.Н. Бессолов, Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, Е.А. Поссе. ФТП, 42 (11), 1345 (2008)
  14. Ю.А. Гольдберг. ЖТФ, 66 (1), 174 (1996)
  15. Chin-Yuan Hsu, Wen-How Lan, Yew Chung Sermon Wu. Jpn. J. Appl. Phys. (A06, A02), 44 (10), 7424 (2005)
  16. В.В. Евстропов, М. Джумаева, Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, А.А. Ситникова, Л.М. Федоров. ФТП, 34 (11), 1357 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.