Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотолюминесценция кремния после осаждения поликристаллических пленок алмаза
Аминев Д.Ф.1, Багаев В.С.1, Галкина Т.И.1, Клоков А.Ю.1, Кривобок В.С.1, Ральченко В.Г.2, Савельев А.В.2
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
2Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 января 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.
Исследована низкотемпературная (5 K) фотолюминесценция в области 0.8-1.2 эВ подложек кремния до и после осаждения пленок поликристаллического алмаза. Алмазные пленки осаждались в микроволновой плазме при температуре 750-850oC на чистый (rho~3 кОм·см) бездислокационный кремний, подвергнутый механической полировке или более совершенной химико-механической полировке. В спектре фотолюминесценции образцов, в которых кремниевая подложка подвергалась химико-механической полировке, регистрируются линии D1 и D2, связанные с дислокационным излучением. Возникновение дислокаций в этих подложках определяется хорошей адгезией алмазной пленки и, как следствие, появлением внутренних напряжений, релаксирующих в виде дислокаций. Полученные спектры практически идентичны спектрам фотолюминесценции, измеренным для кремния (rho~100 Ом·см) с плотностью дислокаций ~104 см-2. PACS: 78.55.Ap, 81.15.Gh, 81.40.Tv
- A. Aleksov, X. Li, N. Govindaraju, J.M. Gobien, S.D. Wolter, J.T. Prater, Z. Sitar. Diamond Relat. Mater., 14, 308 (2005)
- Т.И. Галкина, Д.Ф. Аминев, А.Ю. Клоков, А.И. Шарков, В.Г. Ральченко. Тез. докл. 8-й Росс. конф. по физике полупроводников (Екатеринбург, Россия, 2007) с. 420; Т.И. Галкина, А.И. Шарков, А.Ю. Клоков, В.Г. Ральченко. Тез. докл. 7-й Росс. конф. по физике полупроводников (Звенигород, Россия, 2005) с. 178
- I. Lagnado, P.R. de la Houssage. Microelectronic Engin., 59, 455 (2001)
- V. Ralchenko, T. Galkina, A. Klokov, A. Sharkov, S. Chernook, V. Martoviskiy. In: Science and Technology of Semiconductor-On-Insulator Structure and Devices Operating in a Harch Environment, ed. by D. Flandre, A.N. Nazarov and P. Hemment (Kluwer, Springer, 2005) p. 77; В. Ральченко, В. Конов. Электроника: наука, технология и бизнес, 4, 2 (2007)
- L. Chang, F.R. Chen, C.J. Chen, T.S. Lin. Diamond Relat. Mater., 5, 1282 (1996)
- P. Wagner, H. Baungart, H.J. Quisser. Appl. Phys. Lett., 37, 1078 (1980)
- N.A. Drozdov, A.A. Partin, V.D. Tkachev. Phys. Status Solidi B, 83, 137 (1977); Н.А. Дроздов, А.А. Патрин, В.Д. Ткачев. Письма ЖЭТФ, 23 (11), 651 (1976)
- R. Sauer, J. Weber, J. Stolz, E.R. Weber, K.H. Kuster, H. Alexander. Appl. Phys. A, 36, 1 (1985); С.А. Шевченко, А.Н. Изотов. ФТТ, 45, 248 (2003)
- А.Ю. Клоков, Д.Ф. Аминев, А.И. Шарков, В.Г. Ральченко, Т.И. Галкина. ФТТ, 50, 2167 (2008)
- T. Sharda, M. Umeno, T. Soga, T. Jimbo. J. Appl. Phys., 89 (9), 4874 (2001)
- G.A. Slack, J. Bartram. J. Appl. Phys., 46, 89 (1975)
- L.C. Nistor, J. Van Landuyt, V.G. Ralchenko, A.A. Smolin, K.G. Korotushenko, E.D. Obraztsova. J. Mater. Res., 12, 2533 (1997)
- P.J. Dean, J.R. Haynes, W.F. Flood. Phys. Rev., 161, 711 (1967)
- Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов, под редакцией К.А. Джексона, В. Шретера. (М., Изд-во Водолей, 2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
