Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2009, выпуск 8 » Статья стр. 1117
<<<>>>
Высокоразрешающие рентгеновские дифракционные исследования структур GaAs, выращенных при низкой температуре и периодически delta-легированных сурьмой и фосфором
Чалдышев В.В.1, Яговкина М.А.1, Байдакова М.В.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 25 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.
PDF версия
Рентгеновская дифрактометрия высокого разрешения использована для исследования структур арсенида галлия, выращенных при низкой температуре (LT-GaAs) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Особенностью исследованных структур является наличие тонких (около 1 монослоя) delta-слоев изовалентных примесей сурьмы и фосфора, сформированных при низкой температуре эпитаксии. Периодически расположенные в объеме эпитаксиальной пленки delta-слои создают картину рентгеновской дифракции, содержащую большое число интерференционных пиков, количественный анализ которой позволяет извлечь информацию о толщине, химическом составе и резкости границ слоев. Такой анализ был проведен до и после отжига исследованных образцов, вызывающего формирование в объеме эпитаксиальной пленки системы нановключений (квантовых точек) As. Выявлены изменения параметров дифракционных кривых, характеризующие процесс формирования квантовых точек As. Установлено, что формирование системы квантовых точек As в LT-GaAs (delta-Sb) вызывает усиленное затухание сверxрешеточных пиков-сателлитов, что, вероятно, связано с увеличением шероховатости и диффузионным размытием delta-слоев Sb. Подобного явления не наблюдается в LT-GaAs (delta-P), что, скорее всего, обусловлено отсутствием гетерогенной преципитации As на delta-слоях фосфора и меньшими эффективными коэффициентами диффузионного перемешивания As-P по сравнению с As-Sb. Для образцов с комбинированной системой delta-слоев Sb и P дифракционные кривые количественно подтвердили создание сверхрешеток, содержащих систему квантовых точек As, в которых рассогласование относительно подложки GaAs по среднему параметру решетки составляет менее 0.0001%. PACS: 61.10.Nz, 81.07.Bc, 81.15.Hi, 81.40.Ef
  1. S. Gupta, M.Y. Frankel, J.A. Valdmanis, J.F. Wittaker, G.A. Mouron, F.W. Smith, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 59, 3276 (1991)
  2. T.R. Weatherford, D. McMorrow, A.B. Campbell, W.R. Curtice. Appl. Phys. Lett., 67, 703 (1995)
  3. В.В. Чалдышев, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский, О.П. Пчеляков, А.В. Хан, В.Г. Канаев, Л.С. Широкова, А.В. Голиков, В.А. Кагадей, Ю.В. Лиленко, Н.В. Карпович. Электронная промышленность, вып. 1-2, 154 (1998)
  4. Л.Г. Лаврентьева, М.Д. Вилисова, В.В. Преображенский, В.В. Чалдышев. Изв. вузов. Физика, 45 (8), 3 (2002)
  5. Л.Г. Лаврентьева, М.Д. Вилисова, В.В. Преображенский, В.В. Чалдышев. В кн: Нанотехнологии в полупроводниковой электронике, под ред. А.Л. Асеева (Изд-во СО РАН, Новосибирск, 2004)
  6. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  7. V.V. Chaldyshev. Mater. Sci. Engin. B, 88 (2-3), 85 (2002)
  8. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, N.N. Faleev, A.E. Kunitsyn, D.I. Lubyshev, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, V.V. Tretyakov. Semicond. Sci. Technol., 12, 51 (1997)
  9. T.M. Cheng, C.V. Chang, A. Chin, M.F. Huang. Appl. Phys. Lett., 64, 2517 (1994)
  10. Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин. ФТП, 29, 2232 (1995)
  11. В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, Е.А. Куницын, Ю.Г. Мусихин, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, P. Werner. ФТП, 32, 1161 (1998)
  12. V.V. Chaldyshev, N.N. Faleev, N.A. Bert, Y.G. Musikhin, A.E. Kunitsyn, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. J. Cryst. Growth, 202, 260 (1999)
  13. V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Mater. Sci. Eng. A-Struct. Mater. Prop. Microstruct. Process., 238, 148 (1997)
  14. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 74, 1588 (1999)
  15. V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, A.E. Romanov, A.A. Suvorova, A.L. Kolesnikova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner, N. Zakharov, A. Claverie. Appl. Phys. Lett., 80, 377 (2002)
  16. V.V. Chaldyshev, A.L. Kolesnikova, N.A. Bert, A.E. Romanov. J. Appl. Phys., 97, 024 309 (2005)
  17. А.В. Бойцов, Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, В.В. Чалдышев, М.А. Яговкина, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 40, 778 (2006)
  18. I. Lahiri, D.D. Nolte, J.C.P. Chang, J.M. Woodall, M.R. Melloch. Appl. Phys. Lett., 67, 1244 (1995)
  19. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, Y.G. Musikhin, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 74, 1442 (1999)
  20. V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, Y.G. Musikhin, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner, U. Gosele. Appl. Phys. Lett., 79, 1294 (2001)
  21. W. Xia, L.S. Yu, Z.F. Guan, S.A. Pappert, P.K.L. Yu, S.S. Lau, S.A. Shwarz, M.A.A. Pudensi, L.T. Florez, J.P. Harbison. Appl. Phys. Lett., 61, 1269 (1992)
  22. Н.Н. Фалеев, В.В. Чалдышев, А.Е. Куницын, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков. ФТП, 32, 24 (1998)
  23. D.A. Vasyukov, M.V. Baidakova, V.V. Chaldyshev, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. J. Phys. D: Appl. Phys., 34 (10A), A15 (2001)
  24. В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 36, 897 (2002)
  25. G.M. Martin. Appl. Phys. Lett., 39, 747 (1981)
  26. X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukievich. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
  27. А.В. Бойцов, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 43, 278 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme