Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фазовые превращения в полупроводниках A^IIB^V при высоком давлении

Моллаев А.Ю.¹, Сайпулаева Л.А.¹, Алибеков А.Г.¹, Маренкин С.Ф.², Бабушкин А.Н.³

¹Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия Institute of Physics, Daghestan Science Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Institute of Physics, Daghestan Science Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

²Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

³Уральский государственный университет, Екатеринбург, Россия

Поступила в редакцию: 2 июля 2008 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

При гидростатическом давлении до 9 ГПа и квазигидростатическом до 50 ГПа в области комнатных температур измерены удельное электросопротивление и коэффициент Холла в n-CdAs₂ и p-ZnAs₂. В n-CdAs₂ обнаружен фазовый переход при P=5.5 ГПа, для p-ZnAs₂ имеют место два фазовых перехода - первый при P=10-15 ГПа и второй при P=35-40 ГПа. PACS: 62.50.-p, 71.18.+y, 71.20.Nr, 72.80.Ey

В.Б. Лазарев, В.Я. Шевченко, Я.Х. Гринберг, В.В. Соболев. Полупроводниковые соединения группы A^IIB^V (М., Наука, 1978)
С.Ф. Маренкин, В.А. Морозова. Неорг. матер., 35 (10), 1190 (1999)
В.Б. Шипило, Е.М. Плышевский, И.М. Бельский. Физика газовых и твердофазных давлений (М., Наука, 1978)
J.B. Clark, C.W.F.T. Pisrorius. High Temp. --- High Pressures, 5, 319 (1973)
С.Ф. Маренкин, А.М. Раухман, А.Б. Маймасов, В.А. Попов. Неорг. матер., 33 (12), 1439 (1997)
L.G. Khvostantsev, L.P. Vereshchagin, A.P. Novikov. High Temp. --- High Pressures, 9 (6), 637 (1977)
А.Ю. Моллаев, Л.А. Сайпулаева, Р.К. Арсланов, С.Ф. Маренкин. Неорг. матер., 37 (4), 405 (2001)
Л.Ф. Верещагин, Е.Н. Яковлев, Г.Н. Степанов, К.Ч. Бибаев, Б.В. Виноградов. Письма ЖЭТФ, 16 (4), 240 (1972)
A. Babushkin. High Pressure Res., 6, 349 (1992)
А.Л. Ройтбурд. УФН, 113 (1) 69 (1974)
А.Л. Ройтбурд. ФТТ, 25 (1) 33 (1983)
А.Л. Ройтбурд. ФТТ, 26 (7) 2025 (1984)
В.Н. Козлов, Г.Р. Умаров, А.А. Фирсов. ФТВД, 23, 9 (1986)
М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, А.Ю. Моллаев, С.М. Салихов, Л.А. Сайпулаева. СТМ, 3, 3 (1992)
А.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, Р.И. Ахмедов, Л.А. Сайпулаева. ФТВД, 4, 3 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель