Cathodoluminescence characteristics of pseudomorphic modulation-doped quantum well AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures at high carrier densities and their radiation damaging
Khrustalev V.S.1, Bobyl A.V.1, Konnikov S.G.1, Maleev N.A.1, Zamoryanskaya M.V.1
1Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
Поступила в редакцию: 12 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.
Cathodoluminescence characteristics of modulation-doped transistor heterostructures AlGaAs/InGaAs/AlGaAs with the width of quantum well ~12 nm are investigated in this work. The investigation was conducted by means of cathodoluminescence generation depth changing, the depth depends on electron energy. So this fact permits to get cathodoluminescence characteristics from different depth of the investigated structure. The influence of gamma-radiation with several doses on the cathodoluminescence spectra was examined. PACS: 61.80.Ed, 78.60.Ps, 78.67.De
- М.В. Заморянская, С.Г. Конников, А.Н. Заморянский. ПТЭ, N 3, 1 (2004).
- G. Bastard, J.A. Brum. IEEE J. Quant. Electron., 22, 1625 (1986)
- S.K. Brierley, W.E. Hoke, P.S. Lyman, H.T. Hendriks. Appl. Phys. Lett., 59 (25), 3306 (1991)
- P.J. Potts. A Handbook of Silicate Rock Analysis (Blackie, 1987).
- А.В. Бобыль, А.А. Гуткин, П.Н. Брунков, И.А. Заморянская, М.Я. Яговкина, Ю.Г. Мусихин, Д.А. Саксеев, С.Г. Конников, Н.А. Малеев, В.М. Устинов, П.С. Копьев, В.Т. Пунин, Р.И. Илькаев, Ж.И. Алфёров. ФТП, 40 (6), 707 (2006).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук