Вышедшие номера
Условия достижения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности в интерметаллических полупроводниках структурного типа MgAgAs
Ромака В.А.1,2, Фрушарт Д.3, Стаднык Ю.В.4, Тобола Я.5, Гореленко Ю.К.4, Шеляпина М.Г.6, Ромака Л.П.4, Чекурин В.Ф.1
1Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Лаборатория кристаллографии Национального центра научных исследований, BP 166, Гренобль, Франция
4Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
5Научно-технологический университет Горно-металлургической академии, 30-059 Краков, Польша
6Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
Поступила в редакцию: 3 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.

Условием достижения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности Z* в интерметаллических полупроводниках структурного типа MgAgAs является их сильное легирование акцепторными и (или) донорными примесями до концентраций, при которых уровень Ферми фиксируется порогом подвижности соответствующей зоны непрерывных энергий. Максимум коэффициента термоэлектрической мощности является термически стабильным при условии одинаковой природы типа примесей, вводимых в полупроводник, и типа примесной зоны, вызывающей появление максимума Z*. PACS: 71.20.Nr; 72.20.Pa, 71.55.Ht, 75.20.Ck