Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотолюминесценция гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками, созданными в процессе эпитаксии из ионно-молекулярных пучков
Russian Science Foundation , 25-22-00424
Смагина Ж.В.
1, Зиновьев В.А.
1, Мудрый А.В.
2, Бородавченко О.М.
2, Баженов А.О.
1,3, Двуреченский А.В.
1, Живулько В.Д.
2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: smagina@isp.nsc.ru, zinoviev@isp.nsc.ru, a.mudryi@tut.by, borodavchenko@physics.by, abazhenov@isp.nsc.ru, dvurech@isp.nsc.ru, vad.zhiv@gmail.com
Поступила в редакцию: 26 марта 2025 г.
В окончательной редакции: 23 июня 2025 г.
Принята к печати: 23 июня 2025 г.
Выставление онлайн: 29 июля 2025 г.
Проведен сравнительный анализ структурных и люминесцентных характеристик наноструктур с квантовыми точками, созданными в процессе эпитаксии Ge на Si(100) в условиях облучения ионами Ge+ с энергией ~ 2 кэВ и без него. Установлено, что облучение ионами Ge+ в процессе гетероэпитаксии способствует увеличению интенсивности фотолюминесценции в 3 раза по сравнению со структурами, созданными без ионного облучения. Для облученных образцов обнаружено смещение максимума полосы фотолюминесценции GeSi квантовых точек на ~ 25 мэВ в низкоэнергетическую область. На основе анализа температурных зависимостей спектров фотолюминесценции в диапазоне 5-300 K определены энергии активации температурного гашения фотолюминесценции квантовых точек. Ключевые слова: GeSi квантовые точки, эпитаксия, ионное облучение, фотолюминесценция.
- О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34, 1281 (2000)
- A.I. Yakimov, A.V.Dvurechenskii, V.V. Kirienko, A.I. Nikiforov. Appl. Phys. Lett., 80, 4783 (2002)
- K. Eberl, M.O. Lipinski, Y.M. Manz, W. Winter, N.Y. Jin-Phillipp, O.G. Schmidt. Physica E, 9, 164 (2001)
- A.A. Tonkikh, G.E. Cirlin, V.G. Talalaev, N.D. Zakharov, P. Werner. Phys. Status Solidi A, 203, 1390 (2006)
- M. Brehm, M. Grydlik. Nanotechnology, 28, 392001-1 (2017)
- S. Pizzini, E. Leonti, S. Binetti, M. Acciarri, A. Le Donne, B. Pichaud. Sol. St. Phenomena, 273, 95 (2004)
- В.И. Вдовин, Л.И. Федина, А.К. Гутаковский, А.Е. Калядин, Е.И. Шек, К.Ф. Штельмах, Н.А. Соболев. Кристаллография, 66, 597 (2021)
- Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, К.Ф. Штельмах, П.Н. Аруев, В.В. Забродский, Е.И. Шек. ФТП, 56, 904 (2022)
- А.Е. Калядин, К.Ф. Штельмах, П.Н. Аруев, В.В. Забродский, К.В. Карабешкин, Е.И. Шек, Н.А. Соболев. ФТП, 54, 580 (2020)
- S.M. Buckley, A.N. Tait, G. Moody, B. Primavera, S. Olson, J. Herman, K.L. Silverman, S.P. Rao, S.W. Nam, R.P. Mirin, J.M. Shailine. Opt. Express, 28, 16057 (2020)
- D.D. Berhanuddin, N.E.A. Razak, M.A. Louren\`go, B.Y. Majlisl, K.P. Homewood. Sains Malaysiana, 48, 1251 (2019)
- L. Ouyang, Ch. Wang, X. Feng, J. Yang, M. Zhou, F. Qiu, R. Wang, Yu. Yang. Opt. Express, 26, 15899 (2018)
- A. Nikolskaya, D. Korolev, A. Mikhaylov, D. Pavlov, A. Sushkov, E. Okulich, A. Chizhova, A. Konakov, P. Yunin, A. Okhapkin, S. Kraev, A. Yablonskiy, D. Yurasov, V. Zakharov, B. Andreev, D. Tetelbaum. J. Appl. Phys., 135, 215703 (2024)
- Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, В.В. Забродский, Н.В. Забродская, В.Л. Суханов, Е.И. Шек. ФТП, 41, 635 (2007)
- Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, М.В. Коновалов, П.Н. Аруев, В.В. Забродский, Е.И. Шек, К.Ф. Штельмах, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 50, 241 (2016)
- V.A. Zinovyev, A.F. Zinovieva, Zh.V. Smagina, A.V. Dvurechenskii, V.I. Vdovin, A.K. Gutakovskii, L.I. Fedina, O.M. Borodavchenko, V.D. Zhivulko, A.V. Mudryi. J. Appl. Phys., 130, 153101 (2021)
- M. Grydlik, M.T. Lusk, F. Hackl, A. Polimeni, T.Fromherz, W. Jantsch, F. Schaffler, M. Brehm. Nano Lett., 16, 6802 (2016)
- M. Grydlik, F. Hackl, H. Groiss, M. Glaser, A. Halilovic, T. Fromherz, W. Jantsch, F. Schaffler, M. Brehm. ACS Photonics, 3, 298 (2016)
- Zh.V. Smagina, N.P. Stepina, V.A. Zinovyev, P.L. Novikov, P.A. Kuchinskaya, A.V. Dvurechenskii. Appl. Phys. Lett., 105, 153106 (2014)
- Y.-W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 65, 1020 (1990)
- Л.В. Арапкина, В.А. Юрьев. УФН, 180, 3 (2010)
- N.A. Sobolev, A.E. Kalyadin, E.I. Shek, K.F. Shtel'makh, V.I. Vdovin, A.K. Gutakovskii, L.I. Fedina. Phys. Status Solidi A, 214, 1700317 (2017)
- Yang Yu, Wang Chong, Yang Rui-Dong, Li Liang, XiongFei, BaoJi-Ming. Chin. Phys. B, 18, 4906 (2009)
- S. Coffa, S. Libertino, C. Spinella. Appl. Phys. Lett., 76, 321 (2000)
- V.A. Zinovyev, A.F. Zinovieva, P.A. Kuchinskaya, Zh.V. Smagina, V.A. Armbrister, A.V. Dvurechenskii, O.M. Borodavchenko, V.D. Zhivulko, A.V. Mudryi. Appl. Phys. Lett., 110, 102101 (2017)
- D.J. Lockwood, L. Tsybeskov. Phys. Status Solidi C, 8, 2870 (2011)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
