Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Характеристики экситонов и экситонная фотолюминесценция структур с кремниевыми квантовыми точками
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.
В приближении эффективных масс и квадратичного закона дисперсии проведен расчет энергии связи экситонов, энергии основного излучательного экситонного перехода и нуль-фононного излучательного времени жизни экситонов в кремниевых квантовых точках, находящихся в матрице SiOx. Рассчитаны также спектры стационарной и время-разрешенной экситонной фотолюминесценции кремниевых квантовых точек, рассмотрена кинетика релаксации фотолюминесценции. Проведено сравнение теории с экспериментом. Показано, что основным фактором уширения спектральных полос фотолюминесценции в наноструктурах с кремниевыми квантовыми точками диаметром менее 4 нм является эффект квантово-мезоскопических флуктуаций, когда наличие даже одной оборванной связи на интерфейсе или одного собственного точечного дефекта или инородного атома в нанокристаллите такого размера или в его близком окружении сильно сказывается на энергии экситонного перехода. PACS: 71.35.Gg, 78.55.-m, 78.67.Hc
- T. Takagahara. Phys. Rev. B, 47, 4569 (1993)
- B.I. Бойчук, Р.Ю. Кубай, I.В. Бiлинський. Журнал фiзичних дослiджень, 3, 187 (1999) (укр.)
- В.И. Бойчук, Р.Ю. Кубай. ФТТ, 43, 226 (2001)
- Н.В. Ткач, В.А. Головацкий, О.М. Войцеховская, М.Я. Михальова, Р.Б. Фартушинский. ФТТ, 43, 1315 (2001)
- J. Valenta, R. Juhasz, J. Linnros. J. Luminesc., 98, 15 (2002)
- В.А. Бурдов. ФТП, 36, 1233 (2002)
- С.И. Покутний. Теория экситонов в квазинульмерных полупроводниковых системах (Одесса, Астропринт, 2003)
- A.A. Efremov, V.G. Litovchenko, A.V. Sarikov. Mater. Sci. Eng. C, 23, 165 (2003)
- П.К. Кашкаров, М.Г. Лисаченко, О.А. Шалыгина, В.Ю. Тимошенко, Б.В. Каменев, М. Шмидт, Й. Хайтман, М. Захарис. ЖЭТФ, 124, 1255 (2003)
- О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтелндер. ФТП, 34, 8 (2000)
- A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Yakimov. Nanotechnology, 13, 75 (2002)
- K. Brunner, Rep. Progr. Phys., 65, 27 (2002)
- J.D. Jackson. Classical Electrodynamics (John Wiley \& Sons Inc., N.Y.--London, 1962)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика (М., Физматгиз, 1963)
- Yu.V. Kryuchenko, A.V. Sachenko. Physica E, 14, 299 (2002)
- D.V. Korbutyak, Yu.V. Kryuchenko, I.M. Kupchak, A.V. Sachenko. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 6, 172 (2003)
- R. Knox. Theory of Excitons (N.Y.--London, Academic Press., 1963)
- А.В. Саченко, Ю.В. Крюченко, И.О. Соколовский, О.М. Сресели. ФТП, 38, 877 (2004)
- Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, И.Р. Базылюк, С.В. Свечников. ФТП, 37, 353 (2003)
- М.Д. Ефремов, В.А. Володин, Д.В. Марин, С.А. Аржанникова, С.В. Горяйнов, А.И. Корчагин, В.В. Черепков, А.В. Лаврухин, С.Н. Фадеев, Р.А. Салимов, С.П. Бардаханов. Письма ЖЭТФ, 80, 619 (2004)
- L. Patrone, D. Nelson, V.I. Safarov, M. Sentis, W. Marine. J. Appl. Phys., 87, 3829 (2000)
- F. Koch, D. Kovalev, B. Averboukh, G. Polisski, M. Ben-Chorin. J. Luminesc., 70, 320 (1996)
- P. Lavallard, R.A. Suris. Sol. St. Commun., 95, 267 (1995)
- H. Koyama, P.M. Fauchet. Appl. Phys. Lett., 77 (15), 2516 (2000); H. Koyama. J. Appl. Phys., 93 (5), 2410 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
