Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2024, выпуск 9 » Статья стр. 505
<<<>>>
Анизотропия поляризации межзонной фотолюминесценции в n-InAs, индуцированная электрическим полем
Российский научный фонд, 23-12-00036
Адамов Р.Б. 1, Винниченко М.Я. 1, Харин Н.Ю. 1, Караулов Д.А. 1, Фирсов Д.А. 1
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: roma.adamow@gmail.com, mvin@spbstu.ru, harin_nyu@spbstu.ru, donil793@yandex.ru, dmfir@rphf.spbstu.ru
Поступила в редакцию: 30 сентября 2024 г.
В окончательной редакции: 7 ноября 2024 г.
Принята к печати: 7 ноября 2024 г.
Выставление онлайн: 16 декабря 2024 г.
PDF версия
Рассчитана степень линейной поляризации межзонной фотолюминесценции в кристалле InAs, легированном донорами, в электрическом поле. Анизотропия поляризации возникает благодаря анизотропии функции распределения электронов по состояниям в импульсном пространстве, связанной с дрейфом электронов в электрическом поле, и зависимости оптических матричных элементов от угла между вектором поляризации и волновым вектором электрона. Использовалась квазиравновесная функция распределения, сдвинутая в пространстве скоростей. Температура электронов определялась из уравнения баланса мощности. В расчете скорости потерь энергии горячими электронами учитывался эффект накопления неравновесных фононов. Непараболичность зоны проводимости учитывалась с помощью кейновского закона дисперсии. Ключевые слова: анизотропия функции распределения, межзонная фотолюминесценция, анизотропия поляризации, электронная температура.
  1. C.V. Shah, B.P. Zakharchenya. Spectroscopy of nonequilibrium electrons and phonons (Modern Problems in Condensed Matter Sciences). (Elsevier, Amsterdam, 1992). https://doi.org/10.1016/C2009-0-13015-5
  2. K. Jarusirirangsi, P. van Dommelen, C. Daengngam. J. Nanomater., 2021 (1), 5606173 (2021). https://doi.org/10.1155/2021/5606173
  3. E.L. Ivchenko. Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructure (Alpha Science, 2005)
  4. T. Trupke, R.A. Bardos, M.D. Abbott. Appl. Phys. Lett., 87, 184102 (2005). http://dx.doi.org/10.1063/1.2119411
  5. Ch.H. Lui, K.F. Mak, J. Shan, T.F. Heinz. Phys. Rev. Lett., 105, 127404 (2010). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.105.127404
  6. J.A. Ferrer-Perez, B. Claflin, D. Jena, M. Sen, R. Vetury, D. Dorsey. J. Electron. Mater., 43 (2), 341 (2014). https://doi.org/10.1007/s11664-013-2841-3
  7. C. Zhang, Y. Luo, S.A. Maier, X. Li. Laser Photonics Rev., 16 (6), 2100714 (2022). https://doi.org/10.1002/lpor.202100714
  8. W. Shao, W. Cui, Y. Xin, J. Hu, X. Li. Nanotechnology, 35 (27), 275201 (2024). https://doi.org/10.1088/1361-6528/ad3739
  9. L. Zhou, Q. Huang, Y. Xia. Chem. Rev., 124 (14), 8597 (2024). https://doi.org/10.1021/acs.chemrev.4c00165
  10. S. Sarkar, I. W. Un, Y. Sivan, Y. Dubi. New J. Phys., 24 (5), 053008 (2022). https://doi.org/10.1088/1367-2630/ac6688
  11. B.P. Zakharchenya, D.N. Mirlin, V.I. Perel', I.I. Reshina. Sov. Phys. Uspekhi, 25, 143 (1982). https://doi.org/10.1070/PU1982v025n03ABEH004519
  12. M.A. Vasil'eva, L.E. Vorob'ev, V.I. Stafeev. Sov. Phys. Semicond., 3, 1374 (1969)
  13. M.D. Yang, Y.P. Chen, G.W. Shu, J.L. Shen, S. C. Hung, G.C. Chi, T.Y. Llin, Y.C. Lee, C.T. Chen, C.H. Ko. Appl. Phys. A, 90, 123 (2008). https://doi.org/10.1007/s00339-007-4281-5
  14. V.A. Shalygin, I.S. Makhov, R.B. Adamov, M.Y. Vinnichenko, V.P. Khvostikov, D.A. Firsov. J. Appl. Phys., 136, 195703 (2024). https://doi.org/10.1063/5.0233573
  15. C.A. Baumgardner, O.W. Truman. Phys. Rev., 173 (3), 746 (1968). https://doi.org/10.1103/PhysRev.173.746
  16. E.M. Conwell. High field transport in semiconductors (Academic Press, N.Y.-London, 1967)
  17. L.E. Vorob'ev, F.I. Osokin. Sov. Phys. Semicond., 13, 873 (1979)
  18. D.J. Lockwood, G. Yu, N.L. Rowell. Solid State Commun., 136 (7), 404 (2005). https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.08.030
  19. H. Hamzeh, F. Aniel. J. Appl. Phys., 109 (6), 063511 (2011). https://doi.org/10.1063/1.3553409
  20. M.P. Hasselbeck, P.M. Enders. Phys. Rev. B, 57, 9674 (1998). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.57.9674
  21. N.A. Masyukov, A.V. Dmitriev. J. Appl. Phys., 109 (2), 023706 (2011). https://doi.org/10.1063/1.3533981
  22. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001). https://doi.org/10.1063/1.1368156
  23. T. Edvinss. R. Soc. Open Sci., 5 (9), 180387 (2018). http://doi.org/10.1098/rsos.180387
  24. F. Bassani, G.L. Liedl, P. Wyder. Encyclopedia of condensed matter physics (Elsevier, Oxford, 2005). 8.810 https://www.sciencedirect.com/referencework/9780123694010/ encyclopedia-of-condensed-matter-physics
  25. B.R. Bennett, G.M. Ancona, J.B. Boos. MRS Bull., 34 (7), 530 (2009). https://doi.org/10.1557/mrs2009.141

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme