Взаимодействие карбида кремния с расплавом кремния, образующимся в условиях прямого сращивания эпитаксиальных структур 3C-SiC/Si с пластинами 6H-SiC
Российский научный фонд, 24-22-00232
Мынбаева М.Г.
1, Лебедев С.П.
1, Мясоедов А.В.
1, Приображенский С.Ю.
1, Амельчук Д.Г.
11Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mgm@mail.ioffe.ru, lebedev.sergey@mail.ioffe.ru, amyasoedov88@gmail.com, sergei.prioby@mail.ioffe.ru, amelchuk.dmitriy@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 12 июля 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 16 декабря 2024 г.
Приводятся результаты исследования процессов, протекающих на межфазных границах в условиях переноса эпитаксиальных слоев кубического политипа 3C-SiC с подложек Si на пластины 6H-SiC методом прямого сращивания. Показано, что сращивание обеспечивается за счет формирования промежуточного слоя кремниевого расплава, источником которого служит кремниевая подложка, входящая в состав структур 3C-SiC/Si. Выявлены эффекты взаимодействия SiC с расплавом Si, c учетом которых определены требования к свойствам исходных материалов с конечной целью получения структур 3C-SiC/6H-SiC, которые могут быть использованы в качестве подложек для проведения гомополитипной эпитаксии 3C-SiC сублимационным методом. Ключевые слова: карбид кремния, политипизм, 3C-SiC, расплав Si, прямое сращивание.
- A. Schoner, M. Krieger, G. Pensl, M. Abe, H. Nagasawa. Chem. Vapor Deposition, 12 (8-9), 523 (2006). DOI: 10.1002/cvde.200606467
- M. Zimbone, A. Sarikov, C. Bongiorno, A. Marzegalli, C. Scuderi, L. Calabretta, L. Miglio. Acta Materialia, 213 (1), 16915 (2021). DOI: 0.1016/j.actamat.2021.116915
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Конденсированные среды и межфазные границы, 24 (4), 407 (2022)
- М.Г. Мынбаева, Д.Г. Амельчук, А.Н. Смирнов, И.П. Никитина, С.П. Лебедев, В.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев. ФТП, 56 (11), 1094 (2022). [M.G. Mynbaeva, D.N. Amelchuk, A.N. Smirnov, I.P. Nikitina, S.P. Lebedev, V.Yu. Davydov, A.A. Lebedev. Semiconductors, 56, 872 (2022)]. DOI: 10.21883/SC.2022.11.54965.9953
- P. Nikolopoulos, S. Agathohoulos, G.N. Angelopoulos, A. Naoumidis, H. Grubmeier. J. Mater. Sci., 27 (1), 139 (1992). DOI: 10.1007/bf00553849
- W.P. Minnear. J. Electrochem. Soc., 126 (4), 634 (1979). DOI: 10.1149/1.2129099
- E. Saiz, A.P. Tomsia, R.M. Cannon. Acta Materialia, 46 (7), 2349 (1998). DOI: 10.1016/s1359-6454(98)80016-5
- М.С. Дунаевский, К.В. Макаренко, В.Н. Петров, A.A. Лебедев, С.П. Лебедев, А.Н. Титков. Письма ЖТФ, 35 (1), 98 (2009). [M.S. Dunaevskii, I.V. Makarenko, V.N. Petrov, A.A. Lebedev, S.P. Lebedev, A.N. Titkov. Tech. Phys. Lett., 35 (1), 47 (2009)]. ISSN 1063-7850
- X. Xing, T. Yoshikawa, O. Budenkova, D. Chaussende. J. Mater. Sci., 57 (2), 972 (2002). DOI: 10.1007/s10853-021-06816-y
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
