"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция и комбинационное рассеяние света в пористом GaSb, сформированном ионной имплантацией
Данилов Ю.А.1, Бирюков А.А.1, Gon c alves J.L.2, Swart J.W.2, Iikawa F.3, Teschke O.3
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Centro de Componentes Semicondutores --- UNICAMP,-970 Campinas, SP, Brazil
3Instituto de Fi sica "Gleb Wataghin" --- UNICAMP,-970 Campinas, SP, Brazil
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Формирование пористого слоя в ионно-имплантированном GaSb было изучено с помощью атомно-силовой микроскопии, фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света. С накоплением дозы ионов на поверхности GaSb сначала формируется система бугорков, а потом --- пористый слой. Высота ступеньки на границе пористого слоя с необлученной областью может достигать значений 1 мкм. В ионно-имплантированном GaSb обнаружена широкая полоса фотолюминесценции между 1.1 и 1.65 эВ, интенсивность которой увеличивается с дозой ионов. В спектре комбинационного рассеяния света пористого GaSb обнаружены дополнительные линии 111 и 145 см-1, характерные для окисленного полупроводника. Представленные данные свидетельствуют, что пористый слой, сформированный имплантацией ионов в GaSb, обладает свойствами, характерными для нанокристаллических систем.
  1. L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  2. Y. Kanemitsu. Phys. Rep., 263, 1 (1995)
  3. А.М. Данишевский, А.Ю. Рогачев, В.Б. Шуман, Е.Г. Гук. ФТП, 31, 1387 (1997)
  4. T.L. Rutenhouse, P.W. Bohn, T.K. Hossain, I. Adesida, J. Lindesay, A. Marcus. J. Appl. Phys., 95, 490 (2004)
  5. Д.Н. Горячев, О.М. Сресели. ФТП, 31, 1383 (1997)
  6. Ю.Н. Бузынин, С.А. Гусев, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель. ЖТФ, 70, 128 (2000)
  7. Н.С. Аверкиев, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, Ю.В. Рудь, А.Н. Смирнов, Н.Н. Смирнова. ФТП, 34, 757 (2000)
  8. G. Su, Q. Guo, R.E. Palmer. J. Appl. Phys., 94, 7598 (2003)
  9. Т.Н. Заварицкая, В.А. Караванский, А.В. Квит, Н.Н. Мельник. ФТП, 32, 235 (1998)
  10. П.В. Павлов, Ю.А. Данилов, В.С. Туловчиков. ДАН СССР, 248, 1111 (1979)
  11. R. Callec, P.N. Favennec, M. Salvi, H. L'Haridon, M. Gauneau. Appl. Phys. Lett., 59, 1872 (1991)
  12. S.O. Kucheyev, J.S. Williams, C. Jagadish, J. Zou, V.S.J. Craig, G. Li. Appl. Phys. Lett., 77, 1455 (2000)
  13. O. Teschke, D.M. Soares, L.A.O. Nunes. Appl. Phys. Lett., 70, 2840 (1997)
  14. P.S. Dutta, H.L. Bhat, V. Kumar. J. Appl. Phys., 81, 5821 (1997)
  15. S. Facsko, T. Dekorsy, C. Koerdt, C. Trappe, H. Kurz, A. Vogt, H.L. Hartnagel. Science, 285, 1551 (1999)
  16. S.G. Kim, H. Asahi, M. Seta, J. Takizawa, S. Emura, R.K. Soni, S. Gonda, H. Tanoue. J. Appl. Phys., 74, 579 (1993)
  17. Л.П. Авакянц, В.С. Горелик, Э.М. Темпер, С.М. Щербина. ФТТ, 41, 1495 (1999)
  18. G. Allan, Y.M. Niquet, C. Delerue. Appl. Phys. Lett., 77, 639 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.