Вышедшие номера
Фотолюминесценция и комбинационное рассеяние света в пористом GaSb, сформированном ионной имплантацией
Данилов Ю.А.1, Бирюков А.А.1, Gon c alves J.L.2, Swart J.W.2, Iikawa F.3, Teschke O.3
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Centro de Componentes Semicondutores --- UNICAMP,-970 Campinas, SP, Brazil
3Instituto de Fi sica "Gleb Wataghin" --- UNICAMP,-970 Campinas, SP, Brazil
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Формирование пористого слоя в ионно-имплантированном GaSb было изучено с помощью атомно-силовой микроскопии, фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света. С накоплением дозы ионов на поверхности GaSb сначала формируется система бугорков, а потом - пористый слой. Высота ступеньки на границе пористого слоя с необлученной областью может достигать значений 1 мкм. В ионно-имплантированном GaSb обнаружена широкая полоса фотолюминесценции между 1.1 и 1.65 эВ, интенсивность которой увеличивается с дозой ионов. В спектре комбинационного рассеяния света пористого GaSb обнаружены дополнительные линии 111 и 145 см-1, характерные для окисленного полупроводника. Представленные данные свидетельствуют, что пористый слой, сформированный имплантацией ионов в GaSb, обладает свойствами, характерными для нанокристаллических систем.