Особенности фазового перехода в тонких пленках суперионного полупроводника AgI
Министерство просвещения Российской Федерации, государственное задание, VRFY-2023-0005
Кононов А.А.1, Ильинский А.В.2, Кастро Р.А.1, Климов В.А.2, Пашкевич М.Э.3, Попова И.О.1, Шадрин Е.Б.2
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: kononov_aa@icloud.com
Поступила в редакцию: 12 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 12 сентября 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 30 декабря 2023 г.
Рассмотрены особенности релаксационных процессов, характеризующих фазовый переход в суперионном полупроводнике AgI. На спектрах тангенса угла диэлектрических потерь и на диаграммах Коул-Коула обнаружены два максимума, соответствующие релаксации массивов свободных электронов и положительно заряженных ионов серебра. Показано, что исследуемый материал характеризуется температурным гистерезисом, выражающимся в отставании по температуре обратного фазового перехода из суперионной фазы в полупроводниковую. Ключевые слова: фазовый переход, суперионник, иодид серебра, релаксационные процессы.
- Т.Ю. Вергентьев, Е.Ю. Королева, Д.А. Курдюков, А.А. Набережнов, А.В. Филимонов. ФТТ, 55 (1), 157 (2013). http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/907
- Р.Р. Абдулгафаров, Л.В. Цыганкова, Д.Н. Бухарбаев. Сб. тезисов: Матер. Двадцать шестой Всеросс. науч. конф. студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-26, Уфа, Башкортостан) (ООО "Альтаир", Уфа, 2020) с. 321. https://elar.urfu.ru/bitstream/10995/103805/1/978-5-91951-593-7_2020_225.pdf
- Н.Н. Биккулова, Ю.М. Степанов, Л.В. Биккулова, А.Р. Курбангулов, А.Х. Кутов, Р.Ф. Карагулов. Кристаллография, 58 (4), 603 (2013). DOI: 10.7868/S0023476113040061
- А.В. Ильинский, Р.А. Кастро, М.Э. Пашкевич, И.О. Попова, Е.Б. Шадрин. ФТТ, 62 (12), 2138 (2020). DOI: 10.61011/FTP.2023.08.56956.5097C
- А.А. Kononov, R.A. Castro, Y. Saito, P. Fons, G.A. Bordovsky, N.I. Anisimova, A.V. Kolobov. J. Mater. Sci. Mater. Electron., 32 (10), 14072 (2021). DOI: 10.1007/s10854-021-05986-4
- Т.Х. Джеймс. Теория фотографического процесса (Л., Химия, 1980)
- A.V. Dotsenko, L.B. Glebov, V.A. Tsekhomsky. Physics and Chemistry of Photochromic Glasses (CRC Press LLC, 1998). DOI: 10.1201/9781003067986
- A.I. Gavrilyuk. Phys. Rev. B, 75, 195412 (2007). DOI: 10.1103/PhysRevB.75.195412
- R. Khaton, S. Kashiwagi, T. Iimori, N. Ohta. Appl. Phys. Lett., 93 (23), 234102 (2008). DOI: 10.1063/1.3044385
- Н.В. Никоноров, А.И. Сидоров, В.А. Цехомский. Оптический журн., 75 (12), 61 (2008)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
